[发明专利]画素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种画素结构，包括：

一基板，其具有一画素区域；

一彩色滤光层，对应于该基板的该画素区域；

一导电遮光层，对应于该基板的该画素区域的周围；

一缓冲层，覆盖该导电遮光层以及该彩色滤光层；

一扫描线以及一数据线，位于该缓冲层上；

一主动组件，位于该缓冲层上并与该扫描线以及该数据线电性连接；以及

一画素电极，位于该缓冲层上，并且与该主动组件电性连接，其中该画素电极与该导电遮光层之间具有一重叠区域以构成一储存电容器。

2.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于，该主动组件与该导电遮光层至少部份重叠。

3.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于，更包括一保护层，覆盖该主动组件以及该缓冲层，其中位于该画素电极与该导电遮光层之间的该保护层与该缓冲层是作为该储存电容器的一电容介电层。

4.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于，该彩色滤光层是位于该基板上，且该导电遮光层是位于该彩色滤光层的上方。

5.根据权利要求4所述的画素结构，其特征在于，更包括一平坦层，位于该彩色滤光层与该导电遮光层之间。

6.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于，更包括：

一绝缘层，覆盖该画素电极；以及

一共享电极图案层，位于该绝缘层上。

7.一种画素结构，包括：

一基板，其具有一画素区域；

一彩色滤光层，设置于该基板上并对应于该画素区域；

一扫描线以及一数据线，位于该彩色滤光层的上方；

一主动组件，位于该彩色滤光层的上方并与该扫描线以及该数据线电性连接；

一画素电极，位于该彩色滤光层的上方并且与该主动组件电性连接；

一缓冲层，覆盖该画素电极；以及

一导电遮光层，设置于缓冲层上并对应于该画素区域的周围，其中该画素电极与该导电遮光层之间具有一重叠区域以构成一储存电容器。

8.根据权利要求7所述的画素结构，其特征在于，该主动组件与该导电遮光层至少部份重叠。

9.根据权利要求7所述的画素结构，其特征在于，更包括一平坦层，覆盖该彩色滤光层。

10.根据权利要求7所述的画素结构，其特征在于，更包括：

一绝缘层，覆盖该画素电极；以及

一共享电极图案层，位于该绝缘层上。

11.一种画素数组的制造方法，包括：

提供一基板，该基板上具有多个画素区域；

在该基板上形成一彩色滤光层，其对应该些画素区域；

在该基板上的该些画素区域的周围形成一导电遮光层；

在该基板上形成一缓冲层，以覆盖该导电遮光层以及该彩色滤光层；

在该缓冲层上形成多条扫描线、多条数据线以及与该些扫描线及该些数据线电性连接的多个主动组件；

在该缓冲层上形成多个画素电极，其中每一画素电极与其中一个主动组件电性连接，且每一画素电极与该导电遮光层之间具有一重叠区域以构成一储存电容器。

12.根据权利要求11所述的画素数组的制造方法，其特征在于，在该基板上形成该彩色滤光层时，更包括在该基板的周边形成一对位图案。

13.根据权利要求12所述的画素数组的制造方法，其特征在于，在该基板上形成该导电遮光层的步骤包括：

利用一荫罩幕(shadow mask)以于该基板上沉积一导电层，该导电层暴露出该对位图案；以及

对该导电层进行一图案化制程，以形成该导电遮光层。

14.根据权利要求11所述的画素数组的制造方法，其特征在于，在形成该些画素电极的前，更包括形成一保护层，以覆盖该主动组件以及该缓冲层，其中位于该画素电极与该导电遮光层之间的该保护层与该缓冲层是作为该储存电容器的一电容介电层。

15.根据权利要求11所述的画素数组的制造方法，其特征在于，更包括形成一平坦层，以覆盖该彩色滤光层。