[发明专利]铋离子掺杂的锗硅酸盐发光材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201010227119.4 | 申请日： | 2010-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102337130A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;黄杰;汪磊 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/79 | 分类号： | C09K11/79;C09K11/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518100 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 掺杂 硅酸盐 发光 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种铋离子掺杂的锗硅酸盐发光材料，其特征在于，其化学通式为AB1-xBixCO4；其中，x的取值为0＜x≤0.08，A为Na、K、Li中的一种，B为Y、Gd、Lu、La、Sc中的一种或者两种，C为Ge、Si中的一种或者两种。
2.根据权利要求1所述的铋离子掺杂的锗硅酸盐发光材料，其特征在于，所述x的取值为0.001≤x≤0.06。
3.一种铋离子掺杂的锗硅酸盐发光材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
按化学通式AB1-xBixCO4中各元素的化学计量比，提供A的化合物原料，B的化合物原料，C的化合物原料及Bi3+的化合物原料，研磨成混合粉体；其中，x的取值为0＜x≤0.08，A为Na、K、Li中的一种，B为Y、Gd、Lu、La、Sc中的一种或者两种，C为Ge、Si中的一种或者两种；
将所述混合粉体置于800～1350℃温度下烧结2～20h，冷却至室温后，研磨即得到所述铋离子掺杂的锗硅酸盐发光材料。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述原料研磨步骤中，所述x的取值为0.001≤x≤0.06。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述原料研磨步骤中，所述A的化合物原料为A+的碳酸盐。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述原料研磨步骤中，所述B的化合物原料为B3+的氧化物、硝酸盐、碳酸盐、草酸盐中的至少一种。
7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述原料研磨步骤中，所述C的化合物原料为C4+的氧化物。
8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述原料研磨步骤中，所述Bi的化合物原料为Bi3+的氧化物、草酸盐中的一种或两种。
9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述混合物粉体烧结步骤中，所述混合粉体的烧结过程是在空气气氛中进行的。
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