[发明专利]通过植入N-及P-型簇离子及负离子制造CMOS器件的方法无效
| 申请号： | 201010227473.7 | 申请日： | 2003-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101908473A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·N·霍尔斯基;达勒·C·雅各布森;韦德·A·克鲁尔 | 申请（专利权）人： | 山米奎普公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 植入 离子 负离子 制造 cmos 器件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种将掺杂剂材料植入一衬底内的方法，该方法包括如下步骤：
自一第一分子物质产生通过直接电子撞击形成的N-型簇离子；
自一第二分子物质产生通过直接电子撞击形成的P-型簇离子；
将所述N-型簇离子植入一衬底上的一第一区域内；及
将所述P-型簇离子植入所述衬底上的一第二区域内。
2.一种半导体装置，其包括：
一衬底；
一通过直接电子撞击形成的N-型簇离子掺杂剂，其植入到所述衬底的一第一区域内；及
一通过直接电子撞击形成的P一型掺杂剂，其植入到所述衬底的一第二区域内形成一半导体装置。
3.一种半导体装置，其包括：
一衬底；
一通过直接电子撞击形成的N-型簇离子掺杂剂，其植入到所述衬底的一第一区域内；及
一P-型掺杂剂离子，其植入到所述衬底的一第二区域内形成一半导体装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
