[发明专利]用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列板

说明书

本申请是申请日为2002年6月11日且发明名称为“用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列板”的中国发明专利申请No.02804752.4的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列板。

背景技术

一般的液晶显示器具有两个带有电极的面板和夹在两面板之间的液晶层。对该电极施加电压，使得液晶层中的液晶分子重新取向，由此控制光的透射。

液晶显示器有一个严重的缺点是窄视角。为了解决此问题，研制开发了各种扩大视角的技术。例如，已经提出在像素电极和公共电极处形成开口或凸起的预定图案的同时，可以垂直于上下面板地排列液晶分子。

在形成开口图案的情况下，通过由于形成在像素电极和公共电极处的开口所致的边缘电场控制液晶分子的取向。

在形成凸起图案的情形中，凸起形成在像素电极和公共电极处，通过由于凸起而变形的电场来控制液晶分子的取向。

另外，可以在上面板的公共电极处形成凸起图案的同时，在下面板的像素电极处形成开口图案。通过由于开口和凸起所致的边缘电场来控制液晶分子的取向，同时形成多个畴。

在这种多畴液晶显示器中，在所有方向上，每1∶10对比度的视角或定义为灰色度标级间亮度转化的限制角的视角极好地达到了80°或更大。但是，横向伽玛曲线偏离前伽玛曲线，使得甚至与扭曲向列(TN)模式的液晶显示器相比，左右侧的可见度降低。例如，在用于分隔畴而形成开口部分的图案化垂直排列(PVA)模式中，当涉及横向面时，屏幕整体变得较亮，且颜色变成白色。在严重的情况下，当集聚图像影象时，消除了亮灰色度标等级之间的距离差。但是，随着监视器被用于多媒体的目的，监视器的可见度变得越来越重要。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种具有极佳的横向面可见度的多畴液晶显示器。

本发明的上述及其它目的可以通过一种具有下列特征的液晶显示器实现。左右畴内建立的电场比上下畴内的电场弱。

根据本发明的一个方面，液晶显示器具有多个像素区。每个像素区具有多个微畴(micro domains)。微畴包括一第一定向畴和一第二定向畴，在施加电场时，微畴中的液晶分子具有不同的平均倾斜方向。第一定向畴内的电场比第二定向畴内的电场弱一预定的值。

从正面看时，第一定向畴中的液晶分子左右倾斜，而第二定向畴中的液晶分子上下倾斜。第一定向畴和第二定向畴之间电场差的预定值在0.02/d(V/um)～0.5/d(V/um)的范围内，其中的d为单元间隙。

根据本发明的另一方面，液晶显示器具有一第一绝缘衬底和一沿第一方向形成在第一绝缘衬底上的第一信号线。一第二信号线沿第二方向形成在第一绝缘衬底上并以绝缘的方式与第一信号线相交。第一薄膜晶体管连结到第一和第二信号线。第二薄膜晶体管连结到与第一薄膜晶体管相连的第一和第二信号线。第一像素电极连结到第一薄膜晶体管。第二像素电极连结到第二薄膜晶体管。第二绝缘衬底面对第一绝缘衬底。在第二绝缘衬底上形成公共电极。在第一和第二衬底之间插入一液晶层。一畴分隔元件形成在第一和第二绝缘衬底的至少其一上并将第一和第二像素电极分隔成多个微畴。畴分隔离元件将第一和第二像素电极分隔成第一定向畴和第二定向畴，且第一和第二像素电极彼此电容连结。

第m像素列上第n像素行的像素处的第一和第二薄膜晶体管连结到第m数据线，第m像素列上第(n+1)像素行的像素处的第一和第二薄膜晶体管连结到第(m+1)数据线，其中n和m是整数。第二像素电极占据30-70％的像素区。没有电场的情况下，液晶层中的液晶分子相对于第一和第二绝缘衬底垂直排列。

一存储电容线形成在第一绝缘衬底上并置于第一像素电极和第二像素电极之间，由此形成一存储电容。当形成在第二像素电极和公共电极之间的液晶电容用Clcb表示，形成在第二像素电极和存储电容线之间的存储电容用Cstb表示，并且形成在第一和第二像素电极之间的连结电容用Cpp表示时，由方程T＝(Clcb+Cstb-Cpp)/(Clcb+Cstb+Cpp)定义的T值处于0.65-0.95的范围。