[发明专利]单轴加速度传感器

权利要求书

1.一种一维加速度传感器，包括：

用具有恒定厚度的半导体基板制成的结构，包括：

用半导体基板制成的支撑件，通过第一穿通沟道构图，除了设置在所述第一穿通沟道外侧且设置有连结垫的部分以外，该第一穿通沟道延伸穿过所述半导体基板；

柔性梁，通过与所述第一穿通沟道的两相对端连续的一对第二穿通沟道构图，所述第二穿通沟道沿一个方向在所述支撑件内延伸并穿过所述半导体基板，所述柔性梁具有比所述半导体基板的厚度小得多的宽度，所述柔性梁从所述支撑件的所述部分沿所述一个方向延伸到远端，且具有设置在所述柔性梁近侧的两个边缘处以及设置在所述柔性梁远侧的两个边缘处的四个压电电阻器；和

配重件，与所述柔性梁的远端连续，所述配重件通过所述第一穿通沟道和所述第二穿通沟道构图，所述配重件具有在所述支撑件内的一对对称的第一部分和与所述一对第一部分及所述柔性梁的远端联接的第二部分，所述一对对称的第一部分将所述柔性梁夹在它们之间，且所述配重件具有在柔性梁纵向中心线上的一位置处的重心，所述重心从所述柔性梁的所述远端朝向所述近侧移动；和

配线，形成在所述半导体基板上方且用同一配线层制成，所述配线将四个压电电阻器中的、在同一边缘处的两个压电电阻器每一个串序连接，且所述配线将串序连接结构中的相互连接点引导到所述连结垫、将远侧上的两个压电电阻器的远端共同地引导到所述连结垫、和将近侧上的两个压电电阻器的近端引到所述连结垫。

2.如权利要求1所述的单维加速传感器，其中，所述柔性梁的宽度是所述半导体基板厚度的1/20或更窄。

3.如权利要求2所述的单维加速传感器，其中，所述柔性梁的宽度是从5μm到30μm。

4.如权利要求3所述的单维加速传感器，其中，所述柔性梁的宽度是从5μm到20μm。

5.如权利要求1所述的单维加速传感器，其中，所述半导体基板用n型硅制造，且所述压电电阻器用掺杂有硼的P型区域制造。

6.如权利要求5所述的单维加速传感器，其中，所述压电电阻器具有的宽度是从1.5μm到2.0μm，且具有的长度是10μm或更长且比柔性梁的长度的一半短。

7.如权利要求6所述的单维加速传感器，其中，所述压电电阻器的长度是所述柔性梁的长度的1/3或更短。

8.如权利要求7所述的单维加速传感器，还包括p型的低电阻的接触区域，该区域与所述压电电阻器每一个的两相对端连续，且所述配线连接到所述接触区域。

9.如权利要求1所述的单维加速传感器，其中，所述半导体基板具有矩形平面形状，且所述柔性梁沿连接相对边中心点的中心线设置。

10.如权利要求1所述的单维加速传感器，其中，所述半导体基板具有等边三角形平面形状，且所述柔性梁沿连接该等边三角形的顶点和底边中点的直线设置。

11.一种单维加速度传感器，包括：

半导体基板，具有恒定的厚度；

一对第二穿通沟道，穿过半导体基板的整个厚度形成在所述半导体基板中，且沿一个方向平行地延伸以在它们之间限定出柔性梁，该柔性梁具有比所述半导体基板的厚度小得多的宽度；

四个压电电阻器，形成在所述柔性梁的两端区域上的两边缘处；

第一穿通沟道，穿过半导体基板的整个厚度形成在所述半导体基板中且在一侧与所述第二穿通沟道的端部连续，以限定出与所述柔性梁的一端连续的配重件，该配重件具有一对对称的第一部分和与所述一对第一部分及柔性梁的所述一端联接的第二部分，所述一对对称的第一部分将所述柔性梁夹在它们之间，且所述配重件具有在柔性梁的纵向中心线上的一位置处的重心，该重心从所述柔性梁的所述一端朝向一相对端移动；和

配线，形成在所述柔性梁上方，且用同一配线层形成，所述配线串序连接四个压电电阻器中的同一边缘处的两个压电电阻器每一个，并大致沿柔性梁的纵向方向引导串序连接结构的相互连接点并共同地引导配重件侧上的两个压电电阻器的端部。