[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括具有一对短边和一对长边的矩形形状的半导体芯片，其特征在于，

所述半导体芯片具有：

(a)多个第一突起电极，所述多个第一突起电极沿所述半导体芯片的第一长边配置，而且，和与所述第一长边相向的第二长边相比，配置在更靠近所述第一长边一侧的位置上；

(b)形成在所述半导体芯片上的内部电路；以及

(c)多个第一静电保护电路，所述多个第一静电保护电路保护所述内部电路免遭静电破坏，且与所述多个第一突起电极电连接；

其中，与所述多个第一突起电极中的一部分第一突起电极电连接的所述多个第一静电保护电路中的一部分第一静电保护电路，配置在与所述一部分第一突起电极平面重合的位置上；

与所述多个第一突起电极中的其他第一突起电极电连接的所述多个第一静电保护电路中的其他第一静电保护电路，配置在不与所述其他第一突起电极平面重合的位置上。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述多个第一突起电极和所述内部电路，经由所述多个第一静电保护电路电连接。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述一部分第一突起电极的数量比所述其他第一突起电极的数量少。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述内部电路配置在所述其他第一突起电极的下层。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述多个第一突起电极为输入用突起电极。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述半导体芯片具有：

(d)多个第二突起电极，所述多个第二突起电极沿所述第二长边配置，而且，与所述第一长边相比，配置在更靠近所述第二长边一侧的位置上；以及

(e)多个第二静电保护电路，所述多个第二静电保护电路保护所述内部电路免遭静电破坏，且与所述多个第二突起电极电连接。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述多个第二突起电极和所述内部电路经由所述多个第二静电保护电路电连接。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述多个第二静电保护电路，配置在所述多个第二突起电极的下层。

9.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述多个第二突起电极为输出用突起电极。

10.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述其他第一静电保护电路配置在形成有所述多个第一突起电极的区域和形成有所述多个第二突起电极的区域所夹的内部区域。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

所述其他第一静电保护电路被分开配置在所述内部区域内的多个区域。

12.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述多个第一突起电极呈直线状配置，而所述多个第二突起电极呈交错状配置。

13.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述半导体芯片为驱动液晶显示器件的液晶显示器件驱动器。

14.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在所述其他第一突起电极的下层不配置有所述其他第一静电保护电路。

15.一种半导体器件，包括具有一对短边和一对长边的矩形形状的半导体芯片，其特征在于，

所述半导体芯片具有：

(a)多个第一突起电极，所述多个第一突起电极沿所述半导体芯片的第一长边配置，而且，和与所述第一长边相向的第二长边相比，配置在更靠近所述第一长边一侧的位置上；

(b)形成在所述半导体芯片上的内部电路；以及

(c)多个第一静电保护电路，所述多个第一静电保护电路保护所述内部电路免遭静电破坏，且与所述多个第一突起电极电连接；

其中，所述多个第一静电保护电路配置在不与所述多个第一突起电极平面重合的位置上。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，

在所述多个第一突起电极的下层不配置有所述多个第一静电保护电路。