[发明专利]使用量子点的显示设备有效
申请号: | 201010228938.0 | 申请日: | 2010-07-09 |
公开(公告)号: | CN102044552A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 卢泳勋 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G09F9/33 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;王凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 量子 显示 设备 | ||
1.一种使用量子点的显示设备,该显示设备包括:
被设置成彼此相对的第一基板和第二基板;
形成在所述第一基板和所述第二基板之间并限定单位像素的间隔壁;
形成在所述第一基板上的第一电极;
被形成为对应于所述第一电极的第二电极;
形成在所述第一基板的下方并具有紫外线光源的背光单元;
形成在所述第二基板的上面的紫外线阻隔膜;以及
设置在所述单位像素中的形成有红色量子点的红色发光层、形成有蓝色量子点的蓝色发光层、以及形成有绿色量子点的绿色发光层。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述红色量子点、蓝色量子点和绿色量子点各包括:
核;
形成于所述核外部的壳;以及
形成于所述壳外部的有机配位体。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中所述壳被形成为具有两个分立的部分。
4.根据权利要求2所述的显示设备,其中所述核由从下述材料组中选择的任意一种材料形成,该材料组包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlSb、以及它们的至少包含三种材料的混合物。
5.根据权利要求2所述的显示设备,其中所述壳由SiO、TiO、ZnO、二氧化硅和MgO中的任意一种形成。
6.根据权利要求2所述的显示设备,其中所述有机配位体由包括S、P、COOH和NH4的有机化合物形成。
7.根据权利要求1所述的显示设备,其中红色量子点的尺寸约为18-20nm,蓝色量子点的尺寸约为6-8nm,并且绿色量子点的尺寸约为12-14nm。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中在形成有所述第一电极的所述第一基板上形成所述第二电极。
9.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述第二电极形成在所述第二基板上,所述第二基板与形成有所述第一电极的所述第一基板相对。
10.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述紫外线光源发出波长在350-400nm的紫外光。
11.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述红色量子点、所述绿色量子点和所述蓝色量子点根据施加给所述第一电极和所述第二电极的电压的差而移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的