[发明专利]一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法无效
| 申请号： | 201010228991.0 | 申请日： | 2010-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101866797A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 李志明;孙晓娟;宋航;黎大兵;陈一仁;缪国庆;蒋红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01J9/20 | 分类号： | H01J9/20;H01J9/227 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发射 显示 器件 阳极 制备 方法 | ||
1.一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：
步骤一、将ITO玻璃采用光刻方法进行光刻、腐蚀，获得腐蚀后的ITO玻璃；
步骤二、采用ITO玻璃深化腐蚀液对步骤一获得的ITO玻璃进行深化腐蚀；
步骤三、对步骤二获得的深化腐蚀后的ITO玻璃旋涂荧光粉，通过光刻方法实现场发射显示器件阳极屏的制备；
步骤二所述的ITO玻璃深化腐蚀液的制备方法为：取H2O∶HF＝3∶1的混合液刻蚀ITO条形电极(1)的玻璃衬底，所述HF的浓度为40％的HF的水溶液。
2.根据权利要求1所述的一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，其特征在于，对ITO玻璃进行深化腐蚀的方法为：将深化腐蚀液放入塑料容器内，将步骤一获得腐蚀后的ITO玻璃衬底(2)按一定的倾斜角度放置在深化腐蚀液塑料容器，然后将深化腐蚀液均匀的喷洒在ITO玻璃衬底(2)表面；腐蚀时间小于20秒，采用净水对深化腐蚀后的ITO玻璃衬底表面清洗，获得深化腐蚀后的ITO玻璃。
3.根据权利要求2所述的一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，其特征在于，所述清洗时间为1分钟。
4.根据权利要求2所述的一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，其特征在于，所述ITO玻璃衬底(2)表面的腐蚀深度为3～5μ。
5.根据权利要求2所述的一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，其特征在于，所述的ITO玻璃衬底(2)的腐蚀速率为10u/min。
6.根据权利要求2所述的一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，其特征在于，所述ITO玻璃衬底(2)按一定的倾斜角度放置在深化腐蚀液塑料容器，一定的倾斜角度为60°。
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