[发明专利]液晶显示器的像素结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器的像素结构，且特别涉及一种可减小漏电流的液晶显示器的像素结构。

背景技术

传统的薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor；TFT)意即每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息，是目前最好的LCD彩色显示设备之一，其效果接近阴极射线管(CRT)显示器，是现在笔记本电脑和台式机上的主流显示设备。TFT的每个像素点都是由集成在自身上的TFT来控制，是有源像素点。因此，不但速度可以极大提高，而且对比度和亮度也大大提高，同时分辨率也达到了很高水平。

目前采用四道掩膜制程的非晶硅薄膜晶体管(amorphous silicon TFT，a-SiTFT)，其结构通常为在在玻璃基板上形成栅电极、栅绝缘层覆盖栅极及玻璃基板，半导体活性层覆盖栅绝缘层，源/漏电极位于半导体活性层之上，并彼此电性绝缘。源/漏电极和半导体活性层之间更具有欧姆接触层，而源/漏电极之上更覆盖有保护膜(未绘示)。其中栅绝缘层和保护膜一般采用氮化硅材料，半导体活性层则是采用非晶硅材料。

通常，栅电极是不透光的，但是，当背光源照射到未为栅电极所屏蔽的半导体活性层时，半导体活性层的非晶硅材料会产生电子电洞对，如果照射的地方在源/漏电极与栅电极的交界处，则会因为此处有强大的电场而将产生的电子电洞对拉开，进而贡献光电流，进而有光漏电流过大的缺点。

由此，有必要提出一种新的液晶显示器的像素结构，可有效减小光漏电流的产生，以解决上述问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的首要目的，在于提出一种液晶显示器的像素结构，即可降低光漏电流的产生，又并不会增加开口率。

根据本发明的一个实施例，提出了一种液晶显示器的像素结构，包括：玻璃基板；第一金属层，形成于所述玻璃基板上；绝缘层，覆盖于所述第一金属层上；非晶硅层，覆盖于所述绝缘层上；以及第二金属层，形成于所述非晶硅层上，所述第二金属层具有第一金属部与第二金属部；所述第一金属部为一具有开口的环形，环绕所述第二金属部设置；其中所述环形开口的两端各具有一切口，且所述切口切面相对设置。

本发明的液晶显示器的像素结构，可在不用增加液晶显示器的像素结构开口率的条件下有效减少光漏电流的产生。

附图说明

为让本发明上述目的和其它特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的详细说明如下：

图1是液晶显示器的像素结构的剖面结构示意图；

图2是现有技术的液晶显示器的像素结构的平面示意图；及

图3是本发明一实施例中液晶显示器的像素结构的平面结构示意图。

【主要组件符号说明】

1：玻璃基板        102、202：源电极

2：第一金属层      104、204：漏电极

3：栅绝缘层        2021：第一边

4：非晶硅层        2022：第二边

5：第二金属层      2023：第三边

100、200：栅电极  401、402：切口

具体实施方式

传统地，非晶硅薄膜晶体管(amorphous silicon TFT，a-Si TFT)的结构可分为四种典型结构：源、漏、栅三电极位于半导体活性层a-Si同一侧的平面结构，其中源、漏、栅三电极位于a-Si层上侧的称正栅平面结构，源、漏、栅三电极位于a-Si层下侧的称倒栅平面结构；源、漏、电极与栅电极位于a-Si层两侧的交错结构，其中栅电极在a-Si层上侧，源、漏电极在a-Si层下侧的称正栅交错结构或顶栅结构，栅极在a-Si下侧，源、漏电极在a-Si层上侧的称倒栅交错结构或底栅结构。从制造工艺上看，交错结构的SiN，a-Si和n掺杂a-Si三层(或其中二层)可以连续淀积，适合流水作业，又可减少交叉污染。现在，交错结构已成为主流，它不仅对a-Si，SiN，n掺杂a-Si可连续作业，而且倒栅还可以作遮光层(不需另设遮光层)，这对a-Si TFT是重要的，因为a-Si对光敏感，一旦有光流入引起漏电流增加，将会导致像质恶化。