[发明专利]半导体场效应晶体管的测试方法及测试结构

权利要求书

1.一种半导体场效应晶体管MOSFET的测试结构，由测试平台通过与MOSFET连接的焊垫pad对MOSFET进行测试，该结构包括：MOSFET和金属引线，其特征在于，还包括：

两个源极pad：分别通过金属引线连接至MOSFET的两个源极；

一个漏极pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏极；

一个栅极pad，通过金属引线连接至MOSFET的栅极。

2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括一个电压感应pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏极，用于感应测试时漏极的真实电压。

3.一种MOSFET的测试方法，其特征在于，该方法包括：

设置测试结构，所述测试结构包括：被测试器件MOSFET和金属引线，还包括：两个源极pad，分别通过金属引线连接至MOSFET的两个源极；一个漏极pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏极；一个栅极pad，通过金属引线连接至MOSFET的栅极；一个电压感应pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏极；

对MOSFET的漏极上施加模拟测试电压，至电压感应pad上的真实电压达到MOSFET的设计漏极电压时，获取所述模拟测试电压值；

通过测试平台对MOSFET施加上述获取的模拟测试电压值，测试MOSFET的电性参数。