[发明专利]半导体清洗装置和清洗半导体器件的方法

权利要求书

1.一种适用超临界流体的半导体清洗装置，包括：工艺腔，位于所述工艺腔内的进液管道和支架，在所述进液管道上设有多个喷嘴，在所述工艺腔底部设有排液管道，其特征在于，所述排液管道上设有调压器，所述支架上设有多个器件卡持部，所述支架和所述器件卡持部活动连接。

2.如权利要求1所述的半导体清洗装置，其特征在于，所述器件卡持部与水平面能够成30度至60度的夹角。

3.如权利要求1所述的半导体清洗装置，其特征在于，所述支架的材料为PFA或PTEE。

4.如权利要求1所述的半导体清洗装置，其特征在于，所述调压器的调压范围为0-200bar。

5.如权利要求1-4中任一项所述的半导体清洗装置，其特征在于，所述多个喷嘴分成若干喷嘴组，所述喷嘴组的数量和所述器件卡持部的数量相等。

6.如权利要求5所述的半导体清洗装置，其特征在于，每个所述喷嘴组对应一个开关，每个所述开关控制同一喷嘴组内的喷嘴同时打开或关闭。

7.利用权利要求1所述的半导体清洗装置清洗半导体器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：

打开所述工艺腔，将所述半导体器件竖直放置在所述器件卡持部上；

关闭所述工艺腔，调整所述工艺腔内的环境至工艺环境；

所述卡持部带动所述半导体器件倾斜到一定角度；

所述喷嘴开始向所述工艺腔内喷洒超临界流体，以清洗所述半导体器件；

清洗完毕后，调整所述工艺腔内的环境至普通环境；

打开所述工艺腔，取出所述半导体器件。

8.如权利要求7所述的清洗半导体器件的方法，其特征在于，所述一定角度为30度-60度。

9.如权利要求7所述的清洗半导体器件的方法，其特征在于，调整所述工艺环境为温度大于32度、压力大于80bar的环境。

10.如权利要求7所述的清洗半导体器件的方法，其特征在于，所述超临界流体为添加了共溶剂和/或添加剂的二氧化碳流体。

11.如权利要求7-10中任一项所述的清洗半导体器件的方法，其特征在于，每个半导体器件上的超临界流体的流量为0.5-2千克每分钟。