[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010229497.6 申请日: 2010-07-09
公开(公告)号: CN102044553A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 金镐正;柳寅敬;金昌桢;洪起夏 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;G11C16/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 非易失性存储器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种非易失性存储器件,包括:

衬底;

多条第一信号线,在所述衬底上且沿垂直方向;

多个存储单元,具有连接到所述多条第一信号线的末端;

多条第二信号线,在所述衬底上且垂直于所述多条第一信号线,并且所述多条第二信号线的每条连接到所述多个存储单元的另一末端;以及

多个选择元件,在所述衬底上并连接到所述多条第一信号线中的至少两条。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件,其中所述多个选择元件每个连接到所述多条第一信号线中彼此不相邻的至少两条,并对所述多条第一信号线中的所述至少两条进行选择操作。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器件,其中所述多条第二信号线分为多个组,包括在所述多个组的每个组中的所述多条第二信号线彼此相连。

4.如权利要求3所述的非易失性存储器件,其中包括在所述多个组的每个组中的所述多条第二信号线彼此不相邻。

5.如权利要求2所述的非易失性存储器件,其中所述多个存储单元布置在一条线上,并且所述多个存储单元的所述末端之一连接到所述多条第一信号线之一。

6.如权利要求2所述的非易失性存储器件,其中在所述多个存储单元中彼此相邻的一对存储单元共享所述多条第一信号线中的一条,且在所述多个存储单元中,每个包括在不同对中且彼此相邻的所述存储单元共享所述多条第二信号线中的一条。

7.如权利要求2所述的非易失性存储器件,其中所述多个存储单元每个包括:

可变电阻体,连接到所述多条第一信号线中的一条;以及

二极管,在所述多条第二信号线中的一条与所述可变电阻体之间。

8.一种非易失性存储器件,包括:

多个存储单位,包括多个存储单元;

多条第一信号线,每条形成在所述多个存储单位之中彼此相邻的一对存储单位之间;

多条第二信号线,每条形成在所述多个存储单位之中每个包括在不同的对中且彼此相邻的存储单位之间;以及

多个选择元件,每个连接到所述多条第一信号线中的至少两条。

9.如权利要求8所述的非易失性存储器件,其中所述多个选择元件每个连接到所述多条第一信号线中的彼此不相邻的至少两条信号线,并对被连接的至少两条第一信号线进行选择操作。

10.如权利要求9所述的非易失性存储器件,其中所述多条第二信号线分为多个组,包括在所述多个组的每个中的所述第二信号线彼此相连。

11.如权利要求10所述的非易失性存储器件,其中包括在所述多个组的每个组中的所述第二信号线彼此不相邻。

12.如权利要求9所述的非易失性存储器件,其中所述多个存储单元每个包括:

可变电阻体,连接到所述多条第一信号线中的一条;以及

二极管,在所述多条第二信号线中的一条与所述可变电阻体之间。

13.一种制造非易失性存储器件的方法,该方法包括:

在衬底上形成多个选择元件;

形成多个层叠结构,该多个层叠结构包括多条第二信号线以及在所述多条第二信号线之间的多个绝缘层;

在所述多个层叠结构的每个的侧面顺次形成二极管层和可变电阻体层;

在所述可变电阻体层之间形成多条第一信号线,每个可变电阻体层形成在所述多个层叠结构中的两个层叠结构的侧面上;以及

将所述多个选择元件连接到所述多条第一信号线中的至少两条。

14.如权利要求13所述的方法,其中将所述多个选择元件连接到所述多条第一信号线中的至少两条进一步包括:

将所述多个选择元件连接到所述多条第一信号线中的至少两条,该至少两条是所述多条第一信号线中彼此不相邻的两条。

15.如权利要求13所述的方法,还包括:

将所述多条第二信号线分成多个组;以及

将包括在所述多个组的每个中的所述第二信号线彼此相连。

16.如权利要求15所述的方法,其中包括在所述多个组的每个中的所述第二信号线彼此不相邻。

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