[发明专利]光电装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电装置，包括：

一基板；

一介电材料，包括露出该基板的一部分的两个或两个以上的开口，所述两个或两个以上的开口分别具有至少为1的一深宽比；

一底部二极管材料，包括晶格不相称于该基板的一化合物半导体材料，且其中该化合物半导体材料占据了所述两个或两个以上的开口并于所述两个或两个以上的开口之上接合以形成一底二极管区；

一顶部二极管材料；以及

一有源二极管区，位于该顶部二极管材料与该底部二极管材料之间。

2.如权利要求1所述的光电装置，其中该有源二极管区包括不同于该顶部二极管材料与该底部二极管材料的一材料，而该有源二极管材料构成了位于该顶部二极管材料与底部二极管材料间的一p-i-n结的一本征区。

3.如权利要求1所述的光电装置，其中该有源二极管区包括多个多重量子阱，形成于该顶部二极管材料与该底部二极管材料之间。

4.如权利要求1所述的光电装置，其中该介电材料包括实质上择自二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铪的氧化物、铪的硅化物、锆的氧化物、锆的硅化物及其组合所组成的族群中的一材料。

5.如权利要求1所述的光电装置，其中该开口为于两垂直轴向上具有至少为1的一深宽比的一孔洞。

6.如权利要求1所述的光电装置，其中该半导体材料择自实质上由一III-V族化合物、一II-VI族化合物、一IV族合金及其组合所组成族群的一材料。

7.如权利要求1所述的光电装置，其中该底部二极管材料包括一n型掺质，而该顶部二极管材料包括一p型掺质。

8.一种光电装置，包括：

一基板；以及

一光电二极管，包括：

一第一区，邻近该基板的一第一顶面；

一第二区，邻近该第一区；以及

一有源区，介于该第一区与该第二区之间，

其中该第二区包括邻近于该有源区的一表面，该表面大体平行于该基板的该顶面；以及

该第二区包括与该有源区相分隔的至少一缺陷捕捉区，该缺陷捕捉区包括延伸自该基板的该顶面的一表面。

9.如权利要求8所述的光电装置，其中该第一区的一表面接合于一握持基板。

10.如权利要求8所述的光电装置，其中该握持基板接合有一中间层，该中间层位于该第一区与该握持基板之间。

11.如权利要求9所述的光电装置，其中该握持晶片包括电性连结于该第一区的一导电物。

12.如权利要求8所述的光电装置，更包括一接触物，连结于该握持基板并电性连结于该第一二极管区。

13.一种光电装置的制造方法，包括：

沉积一第一介电材料层于一基板之上；

图案化该第一介电材料层以于其内形成两个或两个以上的开口，以露出该基板的该表面的部分，所述两个或两个以上的开口具有至少为1的深宽比；

借由成长晶格不相称于该基板的一化合物半导体材料于所述两个或两个以上的开口内，使得该化合物半导体材料填满所述两个或两个以上的开口以及于所述两个或两个以上开口之上接合成一连续膜层，以形成一底二极管区；

形成一有源二极管区于该底部二极管区之上；以及

形成一顶二极管区于该有源二极管区之上。

14.如权利要求13所述的光电装置的制造方法，更包括：

接合一握持晶片至该顶部二极管区；以及

移除该基板。

15.如权利要求13所述的光电装置的制造方法，更包括：

注入离子进入该半导体材料以制造出一分裂平面；

接合一握持基板至该半导体材料；以及

自该分裂平面处分裂该半导体材料的膜层。