[发明专利]光电探测器元件无效
| 申请号： | 201010229647.3 | 申请日： | 2010-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101958356A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 萨利姆·布塔米;罗奇·埃斯皮奥德拉马埃斯特;杰罗姆·勒佩奇科 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08;H01L31/0352;H01L27/144 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张春媛;阎娬斌 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 探测器 元件 | ||
1.一种在真空中波长接近于值λ0的辐射的光电探测元件，包括：
指数为ns且厚度在λ0/4ns与λ0/20ns之间的半导体层(1)；
在该半导体层的一个面上的、指数n1小于ns的、透得过所述波长的第一介质(3)；
在该半导体层的另一面上的：
指数n2小于ns、宽度L基本等于λ0/ns的第二介质(6)的区域(5)，以及
在所述区域的任一面上的、指数n3大于指数n2的、由第二介质形成反射界面的第三介质(7)。
2.如权利要求1所述的光电探测器元件，其中半导体层(1)具有在λ0/4ns与λ0/10ns之间的厚度。
3.如权利要求1所述的光电探测器元件，其中第二介质(6)与第一介质(3)相同。
4.如权利要求1所述的光电探测器元件，其中第二介质(6)的指数大于第一介质(3)的指数。
5.如权利要求1所述的光电探测器元件，其中第三介质(7)是金属。
6.如权利要求5所述的光电探测器元件，其中第三介质(7)具有大于λ0/10的厚度。
7.如权利要求1所述的光电探测器元件，其中HgCdTe半导体层形成在CdTe衬底上，第二介质也是CdTe，并且第三介质是金。
8.如权利要求1所述的光电探测器元件的组件，平行连接以形成大尺寸的光电探测器。
9.如权利要求1所述的光电探测器元件的组件，分离连接以形成像素阵列。
10.如前述权利要求中的任一项所述的光电探测器元件的组件，包括能够在相同或不同波长下操作的光电探测器元件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
