[发明专利]薄膜加工设备的下极板及应用该下极板的等离子体加工设备

权利要求书

1.一种薄膜加工设备的下极板，其特征在于，包括：

至少两层子极板，各层子极板叠加设置；

其中，位于最上层的第一子极板中设有通气孔，第二子极板位于所述第一子极板下方，至少一层子极板中具有第一通气槽；

所述通气孔一端位于第一子极板的上表面，另一端与所述第一通气槽连通，所述第一通气槽与外部环境连通。

2.根据权利要求1所述的下极板，其特征在于，所述第一通气槽设置于第一子极板的下表面和/或第二子极板的上表面。

3.根据权利要求1所述的下极板，其特征在于，所述第一通气槽曲折盘旋在子极板的表面内。

4.根据权利要求1所述的下极板，其特征在于，所述第一子极板的上表面还具有凹槽，所述通气孔的一端开口于凹槽内，所述凹槽分布于晶片范围内。

5.根据权利要求1所述的下极板，其特征在于，所述第一通气槽或凹槽的形状为对称结构。

6.根据权利要求1所述的下极板，其特征在于，还包括：位于所述第二子极板下方的至少一层第三子极板。

7.根据权利要求6所述的下极板，其特征在于，所述第二子极板中具有连接孔，第二子极板的下表面和/或第三子极板的上表面具有第二通气槽，所述连接孔将所述第一通气槽和第二通气槽连通。

8.根据权利要求7所述的下极板，其特征在于，所述第二通气槽与外部环境连通。

9.根据权利要求7所述的下极板，其特征在于，所述连接孔的位置与所述通气孔的位置对应。

10.一种等离子体加工设备，其特征在于，包括：如权利要求1-9任一项所述的下极板。

11.如权利要求10所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述等离子体加工设备为等离子体增强化学气相沉积设备。