[发明专利]半导体器件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构的制造方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成栅电极线；

在所述栅电极线外侧形成侧墙；

在所述栅电极线两侧的半导体衬底上形成源/漏区；

在所述栅电极线或源/漏区上形成接触孔；

其中，在所述侧墙形成后至所述半导体器件结构的前道工艺完成之前，将所述栅电极线进行切割以形成电隔离的栅电极。

2.根据权利要求1所述的方法，将所述栅电极线进行切割包括：采用反应离子刻蚀或激光切割刻蚀对所述栅电极线进行切割。

3.根据权利要求1所述的方法，如果所述半导体衬底上形成有浅沟槽隔离，则将所述栅电极线进行切割时切割的位置位于所述浅沟槽隔离的上方。

4.根据权利要求1所述的方法，相邻的所述栅电极之间的距离为1～10nm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，在所述半导体衬底上形成层间介质层之前进行栅电极线的切割以形成电隔离的栅电极。

6.根据权利要求5所述的方法，所述形成接触孔包括：

在所述半导体衬底上形成层间介质层，其中，层间介质层将所述隔离的栅电极之间进行填充；以及

刻蚀所述层间介质层以在所述栅电极或源/漏区上形成所述接触孔。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述形成接触孔包括：

形成第一层间介质层；

刻蚀所述第一层间介质层以在所述源/漏区上形成下接触孔；

形成第二层间介质层；

刻蚀所述第二层间介质层以在所述栅电极线或源/漏区上形成上接触孔；

其中，在所述源/漏区上，所述下接触孔与上接触孔对齐。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在形成下接触孔之后进行栅电极线的切割。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，在形成源/漏区后，所述方法还包括：

将所述栅电极线去除以在所述侧墙内壁形成开口；

在所述开口内形成替代栅电极线。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，在形成侧墙后，将栅电极线进行切割以形成电隔离的栅电极；

所述方法还包括：

将所述栅电极去除以在所述侧墙内壁形成开口；以及在所述开口内形成替代栅电极。

11.一种半导体器件结构，包括：

半导体衬底；

至少两个栅电极，形成于所述半导体衬底上并沿栅宽的方向排列；

侧墙，仅形成于所述栅电极的两侧，且沿栅宽的方向上，所述侧墙的端部与所述栅电极的端部相齐；

源/漏区，形成于所述半导体衬底上且位于所述栅电极的两侧；

其中，沿栅宽的方向上，相邻的栅电极之间填充有介质材料以形成栅电极之间的电隔离。

12.根据权利要求11所述的半导体器件结构，其中在沿栅宽的方向上，相邻的所述栅电极之间的距离为1～10nm。

13.根据权利要求11所述的半导体器件结构，其中，在所述侧墙的材料与所述介质材料相同的情况下，所述半导体器件结构还包括：在所述介质材料与所述侧墙之间形成的界面层。

14.根据权利要求13所述的半导体器件结构，其中，所述侧墙的材料与所述介质材料包括氮化物、氧化物或含碳氧化物，所述界面层包括SiO₂。

15.根据权利要求13所述的半导体器件结构，其中，所述界面层的厚度小于或等于1nm。

16.根据权利要求11至15中任一项所述的半导体器件结构，其中，在所述侧墙的材料与所述介质材料不同的情况下，所述介质材料包括：SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON、SiON、PSG、BPSG中的任一种或多种的组合。