[发明专利]一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成界面层、假栅及其侧墙，以及在所述半导体衬底中形成源极区和漏极区，并覆盖所述源极区、漏极区形成层间介质层，其中所述假栅包括与界面层接触的金属材料层；

去除所述假栅，以形成开口；

在所述开口中形成覆盖所述界面层的栅极区。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括进一步去除所述界面层以形成开口，并重新在开口内形成界面层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属材料层从包含下列元素的组中选择元素来形成：TiN、W，或其组合。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中形成所述栅极区的步骤包括：在所述开口内形成覆盖所述界面层的高k栅介质层，以及在所述高k栅介质层上形成栅电极。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述栅电极包括一层或多层结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述假栅的步骤包括：在所述界面层上形成金属材料层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述假栅的步骤包括：在所述界面层上形成金属材料层及在其上形成其他材料层。

8.一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成界面层、高k栅介质层、假栅及其侧墙，以及在所述半导体衬底中形成源极区和漏极区，并覆盖所述源极区、漏极区形成层间介质层，其中所述假栅包括与高k栅介质层接触的金属材料层；

去除所述假栅，以形成开口；

在所述开口中形成覆盖所述高k栅介质层的栅电极。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述金属材料层从包含下列元素的组中选择元素来形成：TiN、W，或其组合。

10.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述假栅的步骤包括：在所述界面层上形成金属材料层。

11.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述假栅的步骤包括：在所述界面层上形成金属材料层及在其上形成其他材料层。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述栅电极包括一层或多层结构。

13.一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成界面层、高k栅介质层、扩散阻挡层、假栅及其侧墙，以及在所述半导体衬底中形成源极区和漏极区，并覆盖所述源极区、漏极区形成层间介质层，其中所述假栅包括与扩散阻挡层接触的金属材料层；

去除所述假栅，以形成开口；

在所述开口中形成覆盖所述扩散阻挡层的栅电极。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述金属材料层从包含下列元素的组中选择元素来形成：TiN、W，或其组合。

15.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述假栅的步骤包括：在所述扩散阻挡层上形成金属材料层。

16.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述假栅的步骤包括：在所述扩散阻挡层上形成金属材料层及在其上形成其他材料层。

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述栅电极包括一层或多层结构。

18.根据权利要求13所述的方法，其中所述扩散阻挡层从包含下列元素的组中选择元素来形成：TiN、TaN、HfN，或其组合。