[发明专利]基于石墨烯氧化物的电阻型存储器的制备方法

权利要求书

1.一种基于石墨烯氧化物的电阻型存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）形成下电极；

（2）在下电极上构图形成石墨烯层；

（3）对所述石墨烯层采用反应离子刻蚀氧化及远程等离子氧化处理形成石墨烯氧化物层；以及

（4）形成上电极。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤（2）中，所述形成石墨烯层采用化学气相沉积方法。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述下电极为金属钴。

4.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，在化学气相沉积时，通入甲烷气体以及氩气，并加热至950--1100摄氏度后回落至室温。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述甲烷/氩气的气体流量比是1:2~1:5，甲烷和氩气的总流量为280~480标况毫升每分。

6.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述金属钴通过物理气相淀积形成。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述反应离子刻蚀氧化及远程等离子氧化处理的工艺条件为：等离子射频功率为600瓦到1000瓦，通入的氧气/氩气的气体流量比值是1:1~1:3，甲烷和氩气的总流量为200~400标况毫升每分。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述下电极材料为Cu、W、Ni、Zr、Ta、TaN、Ti、TiN、Zn或Al。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述上电极材料为Pd、Ta、Ti、TaN、TiN、Cu、Al、Pt、W、Ni、Ru、Ru-Ta合金、Pt-Ti合金、Ni-Ta合金之一，或者为Pd、Ta、Ti、TaN、TiN、Cu、Al、Pt、W、Ni、Ru、Ru-Ta合金、Pt-Ti合金、Ni-Ta合金中任意两者组成的复合层材料之一。

10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述下电极为铜互连后端结构中的铜引线或者铜栓塞，所述基于石墨烯氧化物的电阻型存储器集成于铜互连后端结构中。