[发明专利]一种具有较大(001)面面积的锐钛矿TiO2单晶的制备方法有效
申请号: | 201010231407.7 | 申请日: | 2010-07-14 |
公开(公告)号: | CN101892512A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 刘敏;王文静 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | C30B7/00 | 分类号: | C30B7/00;C30B29/16 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 较大 001 面积 锐钛矿 tio sub 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种二氧化钛材料的制备方法,特别涉及具有较大(001)面面积的锐钛矿TiO2单晶的制备方法。
背景技术
二氧化钛是一种安全无毒、化学性质稳定、成本低廉的半导体氧化物,在光催化、污水处理和太阳能电池等领域有着广泛的应用。
二氧化钛的应用与其晶体结构和表面性质有着密切的联系。研究发现锐钛矿二氧化钛的(001)面具有良好的化学活性,但(001)面的表面能较高,为0.90J/m2,而具有最低表面能的(101)面的表面能仅为0.44J/m2,所以通常制备得到的二氧化钛都显示出(101)面的晶面取向,以至于较难制备出具有较大(001)面面积的二氧化钛。
文献[Nature,2008,453,638]以四氟化钛为原料,第一次制备出具有较大(001)面面积的锐钛矿TiO2单晶。随后,文献[Journal of the American Chemical Society,2009,131,4078],[Journal of the American Chemical Society,2009,131,3152],[Nano Letters,2009,9,2455],[Chemistry of Materials,2009,21,2601],[Chemical Communications,2009,4381]等以四氟化钛、四氯化钛、钛酸四丁酯、四异丙醇钛等作为原料,制备出具有较大(001)面面积的TiO2单晶。但这些方法使用的原料都具有较高的水解性,使得难以其反应过程,从而难以实现产业化。最近,文献[Journal of the American Chemical Society,2009,131,12868],[Chemical Communications,2010,46,1664],以及专利[CN 101660203A]等采用固体氮化钛和金属钛粉,直接与HF酸进行反应,制备了具有较大(001)面面积的TiO2单晶。在这些方法中,制备得到的产物容易发生团聚,或者(001)面面积较小,限制了这种先进二氧化钛材料的发展和大规模使用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种以金属钛粉为原料,制备具有较大(001)面面积的锐钛矿TiO2单晶的制备方法。本制备方法成本低廉,过程简单、可控,反应温和,充分利用反应原料,不会产生有害气体,对人体无害。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
本发明方法的包括以下步骤:
(1)将0.01~1g钛粉、5~80ml去离子水和0.05~10ml质量分数为40%的氢氟酸,投入到有聚四氟乙烯内衬的水热反应釜中,搅拌十分钟后,将所述的反应釜放入烘箱中,在60℃~200℃下反应1~10h;
(2)反应完毕后,取1~30ml步骤(1)所得的溶液,5~80ml去离子水和0.1~5ml质量分数为30%的双氧水,投入到聚四氟乙烯内衬的反应釜中,搅拌十分钟后,将反应釜放入烘箱中,在100℃~200℃下反应1~40h;
(3)反应完毕后,产物用去离子水冲洗,直至步骤(2)所得产物的PH值达到7,然后将反应产物置于50~100℃的烘箱中烘烤5-24小时,烘干便制得所述的的锐钛矿TiO2单晶。
至此本发明具有较大(001)面面积的锐钛矿TiO2单晶材料制备完毕。
附图说明
图1a为本发明之实施例1所制得的具有较大(001)面面积的锐钛矿TiO2单晶的正面扫描电子显微镜图;图1b为本发明之实施例1所制得的具有较大(001)面面积的锐钛矿TiO2单晶的侧面扫描电子显微镜图;
图2a为本发明之实施例1所制得的具有较大(001)面面积的锐钛矿TiO2单晶的透射电子显微镜图;图2b为本发明之实施例1所制得的具有较大(001)面面积的锐钛矿TiO2单晶的选区电子衍射图;图2c本发明之实施例1所制得的具有较大(001)面面积的锐钛矿TiO2单晶的高倍透射电子显微镜图;
图3为本发明之实施例3所制得的具有较大(001)面面积的锐钛矿TiO2单晶的扫描电子显微镜图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所,未经中国科学院电工研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010231407.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。