[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种具有内埋式线路的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

传统的半导体封装件包括基板、芯片、介电保护层及图案化导电层。其中，芯片设于基板上，介电保护层覆盖芯片，图案化导电层形成于介电保护层上。一般而言，涂布一层导电材料于介电保护层上后，应用蚀刻(etching)技术图案化导电材料以形成图案化导电层。

然而，图案化导电层与介电保护层之间的接触面积有限，使图案化导电层与介电保护层之间的结合度无法更进一步提升。

发明内容

本发明有关于一种半导体封装件及其制造方法，半导体封装件的图案化线路层内埋式线路，内埋式线路与半导体封装件的介电保护层之间的接触面积较大，结合强度较强。

根据本发明的一方面，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一半导体组件、一第一激光活化介电材料(laser-activated dielectric layer)及一第一图案化线路(trace)层。基板具有一第一基板表面。半导体组件设于第一基板表面并具有一主动表面。该些导电柱形成于主动表面上。第一激光活化介电材料覆盖主动表面并具有一第一图案化沟槽，第一图案化沟槽并露出该些导电柱。第一图案化线路层埋设于第一图案化沟槽内并电性连接于该些导电柱。

根据本发明的另一方面，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一基板，基板具有一第一基板表面；设置数个半导体组件于基板的第一基板表面上，每个半导体组件包括数个导电柱并具有一主动表面，该些导电柱形成于主动表面上；形成一第一激光活化介电材料覆盖每个半导体组件的主动表面；以激光于第一激光活化介电材料上形成一第一图案化沟槽以形成一第一图案化激光活化层，第一图案化沟槽并露出该些导电柱；形成一第一图案化线路层于第一图案化沟槽内，第一图案化线路层并电性连接于该些导电柱；切割基板及第一激光活化介电材料，以形成数个半导体封装件。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示依照本发明较佳实施例的半导体封装件的剖视图。

图2绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。

图3绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。

图4绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图5绘示依照本发明第一实施例的半导体封装件的制造方法流程图。

图6A至6F绘示图1的半导体封装件的制造示意图。

图7绘示依照本发明第二实施例的半导体封装件的制造方法流程图。

图8A至8B绘示应用第二实施例的制造方法制造图1的半导体封装件的制造示意图。

图9绘示依照本发明第三实施例的半导体封装件的剖视图。

主要组件符号说明

100、200、300、400、600：半导体封装件

102、602：基板

104、304、404：半导体组件

106：第一图案化激光活化层

108、608：第一图案化线路层

110、610：第一基板表面

112：导电柱

114：主动表面

116：黏着层

118：侧面

120：背面

122、422、434：焊球

124、624：第一图案化沟槽

126、130：上表面

128：开口

132：槽侧壁

136、236、436：介电保护层

138、438：开孔

140：表面处理层

148、150、152：外侧壁

154、654：第一激光活化介电材料

174、274、674、676：线路结构

178：一部分

206：第二图案化激光活化层

244：第二图案化线路层

246：第二图案化沟槽

258：第二激光活化介电材料

272：图案化线路层

560：载板

562：第一载板表面

564：第二载板表面

670：导电贯孔

680：第二基板表面

C：中间位置

P：切割路径

具体实施方式

第一实施例