[发明专利]计算机硬盘磷化铟基片CMP后表面洁净方法

说明书

技术领域

本发明属于计算机硬盘磷化铟(InP)基片抛光液使用方法，特别是涉及计算机硬盘InP基片CMP后表面洁净方法

背景技术

硬盘的容量非常关键，大多数被淘汰的硬盘都是因为容量不足，不能满足日益增长大量数据的存储，特别是笔记本式计算机与掌上型计算机的大量应用，更是要求硬盘同时满足高容量与小体积的要求。硬盘主要由盘片与磁头两部分组成，通过增加盘片的数目或采用硬盘阵列形式可以提高硬盘的容量，但这却违背了个人计算机向小型化发展的潮流。解决这两者之间矛盾的最好方法是提高单片容量，即提高盘片的存储密度。磁存储密度不断上升，磁头与磁盘磁介质之间的距离进一步减小，对磁盘表面质量的要求也越来越高.当硬盘表面具有波度时，磁头就会随着高速旋转的存储器硬盘的波动上下运动，当波度超过一定的高度时，磁头就不再能随着波度运动，它就会与磁盘基板表面碰撞，发生所谓的“磁头压碎”导致磁盘设备发生故障或读写信息的错误.另一方面，当存储器硬盘表面上存在数微米的微凸起时也会发生磁头压碎.此外，当硬盘表面存在凹坑时，就不能完整地写入信息，由此导致所谓的“比特缺损”或信息读出的失败.因此，在盘片表面加工中，就要求制造的磁头浮动高度更小、具有优异的表面光滑度、没有表面缺陷(突起划痕和凹坑).

目前，采用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)技术进行硬盘基片的表面加工。它借助超微粒子的研磨作用以及浆料的化学腐蚀作用使被抛光的介质形成光洁平坦的表面。目前，工业上硬盘基片的抛光工艺中一般pH值都低于4，抛光设备损耗严重，降低了使用寿命，而且抛光过程中会引入金属离子污染，容易造成低击穿、软击穿、漏电流增大。且由于其采用硬度大的三氧化铝做为磨料，容易造成划伤；且其粘滞性强，后续难以清洗。且计算机硬盘InP基片批量抛光生产后，存在晶片表面能量高、表面张力大、残留抛光液分布不均等现象，从而造成后续加工中成本的提高及器件成品率的降低。

发明内容

本发明是为了解决现有计算机硬盘InP基片抛光后晶片表面能量高、表面张力大、残留抛光液分布不均、沾污金属离子等问题，而公开一种计算机硬盘InP基片CMP后表面洁净方法。

本发明计算机硬盘InP基片CMP后表面洁净方法，按照下述步骤进行：

(1)水抛液的制备：取一定量的去离子水，边搅拌边加入活性剂、螯合剂、阻蚀剂，活性剂的加入量为15-30g/L，螯合剂的加入量为5-20g/L，阻蚀剂的加入量为1-60g/L；

(2)计算机硬盘InP基片CMP后立即使用上述水溶液采用采用1000g/min-4000g/min的流量进行水抛清洁，水抛时间为30s-3min。

所述的活性剂为天津晶岭微电子材料有限公司市售FA/O表面活性剂、Oπ-7((C₁₀H₂₁-C₆H₄-O-CH₂CH₂O)₇-H)、Oπ-10((C₁₀H₂₁-C₆H₄-O-CH₂CH₂O)₁₀-H)、O-20(C_12-18H_25-37-C₆H₄-O-CH₂CH₂O)₇₀-H)、聚氧乙烯仲烷基醇醚(JFC)的一种。

所述的螯合剂为天津晶岭微电子材料有限公司市售FA/O螯合剂，乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)，结构式如下：

所述的阻蚀(氧)剂为是六次甲基四胺或苯丙三氮唑，其中六次甲基四胺C₆H₁₂N₄，结构式：

苯丙三氮唑C₆H₅N₃，结构式：

本发明中采用技术的作用为：