[发明专利]铌酸锂晶体化学机械抛光后的应力控制方法

权利要求书

1.一种铌酸锂晶体化学机械抛光后的应力控制方法，其特征在于，按照下述步骤进行：

(1)铌酸锂晶体CMP后立即进行水抛清洗，水抛清洗液初始流量设定为CMP过程的抛光液流速200ml/min-400ml/min，所述水抛液为含有0.5-3％非离子表面活性剂的去离子水；

(2)逐步增大水抛液流速到5000ml/min-7000ml/min，上述水抛过程持续30秒-5分钟，然后停止水抛，过程结束。

2.根据权利要求1所述的铌酸锂晶体化学机械抛光后的应力控制方法，其特征在于：所述步骤(1)的非离子表面活性剂为FA/O表面活性剂、Oπ-7((C₁₀H₂₁-C₆H₄-O-CH₂CH₂O)₇-H)、Oπ-10((C₁₀H₂₁-C₆H₄-O-CH₂CH₂O)₁₀-H)、O-20(C_12-18H_25-37-C₆H₄-O-CH₂CH₂O)₇₀-H)或聚氧乙烯仲烷基醇醚。