[发明专利]超大规模集成电路多层铜布线化学机械抛光后的洁净方法无效
| 申请号： | 201010232256.7 | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101908503A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;黄妍妍;檀柏梅;高宝红;周强 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;B08B1/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 杨红 |
| 地址： | 300130*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超大规模集成电路 多层 布线 化学 机械抛光 洁净 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种超大规模集成电路多层铜布线化学机械抛光后的洁净方法，具体清洗方法步骤如下：
(1)制备水抛液，按重量份数计(份)
非离子表面活性剂0.1-5
阻蚀剂0.1-7
螯合剂0.1-0.6
余量为去离子水；
(2)用三乙醇胺调节水抛清洗液的pH值等于7-8；
(3)在多层铜布线化学机械抛光后立即使用(1)制成的水抛液进行水抛，流量500ml/min-5000ml/min，时间0.5-1分钟；
(4)使用TCQ-250超声波清洗机，在去离子水中对抛光后的Cu布线晶圆超声清洗，超声频率为60Hz，温度均控制在50℃，超声时间0.5-1分钟；
(5)取出后干燥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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