[发明专利]一种晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法，其特征在于：在晶体硅片绒面上均匀沉积氧化锌薄膜，再通过化学腐蚀方法在氧化锌薄膜上腐蚀形成电极窗口，然后通过电极窗口制作选择性发射极结构的重掺杂区域和浅掺杂区域。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将硅片表面清洗制绒；b)在硅片绒面上沉积氧化锌薄膜；c)用化学腐蚀方法将氧化锌薄膜腐蚀形成电极窗口；d)清洗化学反应物及生成物；e)进行重掺杂扩散；f)用酸性溶液去除氧化锌掩膜；g)进行浅掺杂扩散。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将硅片表面清洗制绒；b)进行浅掺杂扩散；c)在硅片绒面上沉积氧化锌薄膜；d)用化学腐蚀方法将氧化锌薄膜腐蚀形成电极窗口；e)清洗化学反应物及生成物；f)进行重掺杂扩散。

4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将硅片表面清洗制绒；b)在硅片绒面上沉积氧化锌薄膜；c)用化学腐蚀方法将氧化锌薄膜腐蚀形成电极窗口；d)清洗化学反应物及生成物；e)一次扩散，得到重掺杂区域和浅掺杂区域。

5.根据权利要求2或3或4所述的晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法，其特征在于：所述氧化锌薄膜厚度为5～500nm。

6.根据权利要求1或2或3或4所述的晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法，其特征在于：所述氧化锌薄膜的沉积方法为金属化学有机气相沉积法、磁控溅射法或旋涂溶胶凝胶法，沉积温度为室温。

7.根据权利要求1或2或3或4所述的晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法，其特征在于：所述氧化锌薄膜的沉积方法为金属化学有机气相沉积法、磁控溅射法或旋涂溶胶凝胶法，沉积温度为100～400℃。

8.根据权利要求1或2或3或4所述的晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法，其特征在于：所述化学腐蚀方法为丝网印刷酸性浆料，或喷涂打印酸性溶液；化学腐蚀的温度为100～300℃，时间为20～300秒。

9.根据权利要求2或3或4所述的晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法，其特征在于：所述清洗化学反应物及生成物步骤中的清洗液为纯水或质量百分浓度为0.1～2％的氢氧化钾，清洗温度为20～80℃，清洗采用超声、喷淋、或两者结合的方式。