[发明专利]固态成像器件、其制造方法和相机有效
申请号: | 201010233510.5 | 申请日: | 2010-07-19 |
公开(公告)号: | CN101964348A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 石渡宏明;河相勋 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 郭定辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 制造 方法 相机 | ||
1.一种固态成像器件,包括:
光电二极管,对于在半导体衬底的光感测表面上以矩阵形状排列的每一个像素分离地形成所述光电二极管;
信号读取单元,其形成在半导体衬底上,并读取在光电二极管中产生并充电的信号电荷或者根据该信号电荷的电压;
绝缘膜,其形成在半导体衬底上以便覆盖光电二极管,并且包括光波导管;
滤色器,其形成在绝缘膜上;以及
片上透镜,其形成在滤色器上,
其中在布局中,在水平和垂直方向二者上交替地排列第一像素组合和第二像素组合,所述第一像素组合具有这样的布局:在水平和垂直方向二者上排列两个绿像素且在配备绿滤色器作为其滤色器的同时排列总共四个像素;所述第二像素组合具有这样的布局:在水平和垂直方向二者上排列两个像素,排列总共四个像素,且对角线地排列具有红滤色器的两个红像素和具有蓝滤色器的两个蓝像素。
2.根据权利要求1所述的固态成像器件,
其中对于每一个第一像素组合形成一个片上透镜作为所述片上透镜。
3.根据权利要求2所述的固态成像器件,
其中对于第二像素组合的每一个像素形成一个片上透镜作为所述片上透镜,并且第二像素组合的每一个像素的一个片上透镜的直径不同于第一像素组合的一个片上透镜的直径。
4.根据权利要求1所述的固态成像器件,
其中对于每一个第一像素组合形成一个光波导管作为所述光波导管。
5.根据权利要求4所述的固态成像器件,
其中对于第二像素组合的每一个像素形成一个光波导管作为所述光波导管,并且第二像素组合的每一个像素的光波导管的一个开口尺寸不同于第一像素组合的光波导管的一个开口尺寸。
6.根据权利要求1所述的固态成像器件,
其中在绝缘膜中嵌入布线,以及
其中排列所述布线以便不横跨第一像素组合的区域。
7.一种固态成像器件,包括:
光电二极管,对于在半导体衬底的光感测表面上以矩阵形状排列的每一个像素分离地形成所述光电二极管;
信号读取单元,其形成在半导体衬底上,并读取在光电二极管中产生并充电的信号电荷或者根据该信号电荷的电压;
绝缘膜,其形成在半导体衬底上以便覆盖光电二极管,并且包括光波导管;
滤色器,其形成在绝缘膜上;以及
片上透镜,其形成在滤色器上,
其中滤色器包括第一像素组合、第二像素组合和第三像素组合,在每一个第一像素组合中,在水平和垂直方向二者上排列两个绿像素且在配备绿滤色器作为其滤色器的同时排列总共四个像素,在每一个第二像素组合中,在水平和垂直方向二者上排列两个蓝像素且在配备蓝滤色器作为其滤色器的同时排列总共四个像素,在每一个第三像素组合中,在水平和垂直方向二者上排列两个红像素且在配备红滤色器作为其滤色器的同时排列总共四个像素,
其中在布局中,在垂直方向上交替地排列第四像素组合和第五像素组合以便在水平方向上移位第一像素组合的量,在每一个第四像素组合中,在水平方向上交替地排列第一像素组合和第二像素组合,在每一个第五像素组合中,在水平方向上交替地排列第一像素组合和第三像素组合,以及
其中对于第一像素组合、第二像素组合和第三像素组合中的每一个形成一个片上透镜作为所述片上透镜。
8.根据权利要求7所述的固态成像器件,
其中对于每一个第一像素组合形成一个光波导管作为所述光波导管。
9.根据权利要求8所述的固态成像器件,
其中对于第二像素组合和第三像素组合中的每一个形成一个光波导管作为所述光波导管。
10.根据权利要求7所述的固态成像器件,
其中在绝缘膜中嵌入布线,以及
其中排列所述布线以便不横跨第一像素组合的区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的