[发明专利]一种隧穿晶体管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种隧穿晶体管的制造方法，所述方法包括：

A、提供具有第一掺杂类型半导体衬底，其中所述衬底包括由隔离区分隔的有源区；

B、在所述半导体衬底上形成第一半导体层，其中所述第一半导体层内包括其上部为第二掺杂类型的PN结；

C、在所述第一半导体层的两侧衬底有源区内形成具有第一掺杂类型的第一掺杂区，以及覆盖所述有源区形成层间介质层；

D、去除所述第一半导体层的两端，暴露衬底以形成第一开口和第二开口；

E、在所述第一和第二开口内分别形成第一栅极和第二栅极，其中所述第一和第二栅极包括栅介质层和栅电极；

F、在所述第一掺杂区上形成漏接触，以及在所述第一半导体层上形成源接触，以及在所述第一和第二栅电极上形成栅接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括第一掺杂类型的轻掺杂或者包括上部为第一类型的轻掺杂、下部为第一掺杂类型的重掺杂。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一半导体层上部的第二类型掺杂为浅能量重剂量掺杂。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体层采用与衬底不同的半导体或半导体化合物材料形成。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述半导体或半导体化合物材料包括：Ge、GeSi、GaAs、InP、SiC、Si、金刚石及其组合。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤B还包括：在所述第一半导体层上形成栅帽。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤F包括：在所述层间介质层上形成另一层间介质层；在所述第一掺杂区上的层间介质层内形成漏接触，以及在所述第一半导体层上的层间介质层内形成源接触，以及在所述第一和第二栅电极上的层间介质层内形成栅接触。

8.一种隧穿晶体管结构，所述结构包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有第一掺杂类型；

形成于所述半导体衬底上的第一半导体层，其中所述第一半导体层内包括上部为第二掺杂类型的PN结；

形成于第一半导体层两端的第一栅极和第二栅极，其中所述第一和第二栅极包括栅介质层和栅电极；

形成于第一半导体层及第一和第二栅极两侧的半导体衬底内的第一掺杂区；

形成于所述第一掺杂区上的漏接触，以及形成于第一半导体层上的源接触，以及形成于第一和第二栅极上的栅接触。

9.根据权利要求8所述的结构，其中所述衬底包括第一掺杂类型的轻掺杂或者包括上部为第一类型的轻掺杂、下部为第一掺杂类型的重掺杂。

10.根据权利要求8所述的结构，其中形成所述第一半导体层上部的第二类型掺杂为浅能量重剂量掺杂。

11.根据权利要求8所述的结构，其中所述第一半导体层采用与衬底不同的半导体或半导体化合物材料形成。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述半导体或半导体化合物材料包括：Ge、GeSi、GaAs、InP、SiC、Si、金刚石及其组合。

13.根据权利要求8所述的结构，还包括形成于所述第一半导体层上的栅帽。