[发明专利]压敏传感器的制备方法

权利要求书

1.一种压敏传感器的制备方法，其特征在于，在硅衬底上的第一牺牲层中刻蚀形成定锚通孔之后，包括如下步骤：

1)采用各向同性的刻蚀工艺，刻蚀所述定锚通孔下的硅衬底至硅平面下预定深度，形成定锚底座孔，而后去除光刻胶；

2)CMP工艺研磨去除所述硅衬底上的第一牺牲层；

3)在所述硅衬底上淀积传感薄膜，所述传感薄膜填充硅衬底中的所述定锚底座孔，形成定锚底座；

4)CMP工艺研磨所述传感薄膜至所述硅衬底平面；

5)在硅衬底上淀积第二牺牲层；

6)采用光刻工艺在所述第二牺牲层上定义出定锚通孔的位置，而后刻蚀所述第二牺牲层至所述硅衬底中的传感薄膜中，形成定锚通孔，之后去除光刻胶；

7)在所述第二层牺牲层上再次淀积传感薄膜，所述传感薄膜填充所述定锚通孔形成定锚，最终形成由定锚底座和定锚构成的传感薄膜支撑柱；

8)紧接着进行高温退火处理，之后进行传感薄膜图形化等常规的工艺。

2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤一中刻蚀至所述硅衬底平面下的深度为0.05～2μm。

3.按照权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述步骤一的刻蚀在多晶硅的刻蚀机台上完成。

4.按照权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤一的刻蚀采用等离子体刻蚀工艺，刻蚀工艺参数可为：刻蚀气体SF₆流量为10sccm～200sccm；刻蚀气体O₂的流量为10sccm～150sccm；刻蚀设备的上部电极源功率设置为500～2000w；下部电极偏置功率设置为0w；刻蚀腔体内的压力设置为10～100mt。

5.按照权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述第一牺牲层和第二牺牲层为氧化硅或氮化硅。