[发明专利]零标的形成方法无效
| 申请号： | 201010233566.0 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102339747A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 标的 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种零标的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)在硅衬底上淀积介质层；
2)采用光刻工艺在所述介质层上定义出零标位置，刻蚀所述介质层形成零标。
2.按照权利要求1所述的零标形成方法，其特征在于：所述介质层为氮化硅或硅、氮和氧的化合物。
3.按照权利要求2所述的零标形成方法，其特征在于：所述介质层的厚度为100～2000埃，所述介质层采用物理气相淀积法或化学气相淀积法进行制备。
4.按照权利要求3所述的零标形成方法，其特征在于：所述步骤二中刻蚀介质层之后，硅衬底的损失量小于500埃。
5.按照权利要求2所述的零标形成方法，其特征在于：所述介质层和硅衬底之间还淀积有二氧化硅缓冲层。
6.按照权利要求5所述的零标形成方法，其特征在于：所述二氧化硅缓冲层的厚度为10～200埃之间。
7.按照权利要求3所述的零标形成方法，其特征在于：所述步骤二中刻蚀介质层之后，二氧化硅缓冲层大于10埃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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