[发明专利]一种柔性阻变存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010233732.7 | 申请日： | 2010-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101958400A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 史磊;尚大山;孙继荣;沈保根;赵同云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种柔性阻变存储单元，包括：
柔性绝缘衬底，
在该柔性绝缘衬底上的底电极，
在该底电极上的存储介质层，以及
在该存储介质层上的顶电极，
其特征在于，所述存储介质层为Zn(1-x)MgxO薄膜，其中x的范围为0＜x＜1。
2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述Zn(1-x)MgxO薄膜的厚度为10-1000nm。
3.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述底电极和顶电极由金属材料或导电化合物制成。
4.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述底电极具有导电化合物/金属/导电化合物的复合结构。
5.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述Zn(1-x)MgxO薄膜为Zn0.8Mg0.2O薄膜。
6.一种柔性阻变存储器，其特征在于，包括权利要求1至5之一的柔性阻变存储单元。
7.一种柔性阻变存储单元的制造方法，包括：
1)提供柔性绝缘衬底；
2)在该柔性绝缘衬底上制备底电极；
3)在该底电极上制备Zn(1-x)MgxO薄膜，其中x的范围为0＜x＜1，薄膜的厚度为10-1000nm；
4)在该Zn(1-x)MgxO薄膜上制备顶电极。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤3)包括采用脉冲激光沉积方法制备Zn(1-x)MgxO薄膜，衬底温度在室温至150℃之间。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述脉冲激光沉积方法包括利用Zn(1-x)MgxO靶材沉积Zn(1-x)MgxO薄膜。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述Zn(1-x)MgxO薄膜为Zn0.8Mg0.2O薄膜。
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