[发明专利]LED面光源封装

权利要求书

1.LED面光源封装，包括透明陶瓷晶片、基板、支架、芯片，其特征在于：芯片(2)固定于基板(4)凹槽(6)中，通电后，芯片(2)发出的光激发透明陶瓷晶片(1)中的稀土离子发光混合透射的光形成白光，获得高功率LED面光源；

2.根据权利要求1所述的LED面光源封装，其特征在于：所述的芯片(2)，采用多颗集成封装，通过金线(5)或铜线(5)以串、并联的方式共晶焊接于基板(4)凹槽(6)中；

3.根据权利要求1所述的LED面光源封装，其特征在于：所述的凹槽(6)可为一个整体凹槽(6)也可为多个小间距独立的凹槽(6)，凹槽(6)形状可为梯形、方形、柱形等其他底部为平面的凹形；

4.根据权利要求1所述的LED面光源封装，其特征在于：所述的芯片(2)为蓝光芯片(2)或红光芯片(2)，蓝光芯片(2)可单独封装，也可与红光芯片(2)按一定比例封装；

5.根据权利要求1所述的LED面光源封装，其特征在于：所述的基板(4)为铝基覆铜板，表面镀银工艺处理，由电路层(铜箔层)、导热绝缘层和金属基层组成，金属基层采用高导热材料——铝或铜制成；

6.根据权利要求1所述的LED面光源封装，其特征在于：所述的透明陶瓷晶片(1)盖于芯片(2)上方，通过胶粘、紧配或卡口等方式与固定于基板(4)上方的支架(3)结合，透明陶瓷晶片(1)与芯片(2)之间有一定距离，形成中空的隔离层(7)；

7.根据权利要求1所述的LED面光源封装技术，其特征在于：所述的透明陶瓷晶片(1)系采用Y₂O₃、Al₂O₃、、X₂O₃(X为Ce，Pr，Sm等稀土离子中一种或多种)为基质，通过充分混合后高温真空烧结，还原性气氛退火形成的高光学质量透明陶瓷晶片(1)；

8.根据权利要求1所述的LED面光源封装技术，其特征在于：通电后，芯片(2)发出的光激发透明陶瓷晶片(1)中的稀土离子发光混合透射的光形成白光；

9.根据权利要求1所述的LED面光源封装技术，其特征在于：通过改变稀土离子的浓度及透明陶瓷晶片(1)的厚度控制发出白光的色温，色温范围在3000K～8000K；

10.根据权利要求1及要求7所述的LED面光源封装技术，其特征在于：稀土离子的浓度范围为0.1～0.3at％，透明陶瓷晶片(1)厚度范围为0.2～2mm。