[发明专利]碳纤维增强碳-碳化硅双基体材料的制备方法无效
申请号: | 201010234834.0 | 申请日: | 2010-07-22 |
公开(公告)号: | CN101913895A | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
发明(设计)人: | 李克智;魏连锋;李贺军;郭领军 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C04B35/83 | 分类号: | C04B35/83 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 黄毅新 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碳纤维 增强 碳化硅 基体 材料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种双基体材料的制备方法,特别是一种碳纤维增强碳-碳化硅双基体材料的制备方法。
背景技术
C/C复合材料由于具有优异的耐高温、抗热震和抗烧蚀性能,被广泛用于火箭发动机喉衬、飞行器鼻锥等高温结构部件。为了进一步提高C/C复合材料耐烧蚀及抗粒子侵蚀性能,世界各国科研工作者进行了大量的试验研究,表明将难熔碳化物如SiC、TaC、HfC、ZrC加入到碳基体时,C/C复合材料抗烧蚀性能得到明显改善。在这些碳化物中,SiC具有价格低廉,热膨胀系数与碳材料相近以及优异的抗氧化、抗烧蚀性能,将该材料加入C/C复合材料制备的C/C-SiC复合材料可有望进一步改善材料的抗烧蚀性能。
C/C-SiC复合材料是一种以碳纤维为增强体,以碳、碳化硅为基体的复合材料。C/C-SiC复合材料制备的关键是SiC相的加入,文献“C/C-SiC复合材料的制备方法及研究现状.张智,郝志彪,闫联生.炭素,2008,(2):29-35”公开了一种C/C-SiC复合材料的制备方法,其添加SiC的主要技术手段:化学气相浸渗法(CVI),熔融渗硅法(RMI)和前驱体浸渍裂解法(PIP)等。其中采用熔融渗硅技术增密速度快,但高温下反应不容易控制,易形成大块未反应的硅;CVI技术得到的组织较均匀但碳化硅基体致密化周期长,成本高;而PIP技术制备的原料昂贵、增密速度慢、转化效率低也限制其应用。三种方法都是在高温下通过化学反应引入SiC,导致其制造成本增加。
发明内容
为了克服现有的C/C-SiC复合材料的制备方法要在高温下通过化学反应引入SiC而导致制备成本高的不足,本发明提供一种碳纤维增强碳-碳化硅双基体材料的制备方法。该方法在常温下采用超声波震荡技术在纤维预制体中引入SiC颗粒,可以降低制备成本。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案:一种碳纤维增强碳-碳化硅双基体材料的制备方法,其特点是包括下述步骤:
(a)以二维针刺碳毡作为预制体,密度为0.45g/cm3;
(b)取粒径为1~40μm的SiC粉末放入水中,加入聚丙烯酸钠使其充分混合配置成质量分数为4~10%的料浆,将料浆置于超声槽中,采用超声波振荡20~40min使料浆分散均匀;
(c)将前述预制体放入料浆中,超声波震荡6~12小时,取出置于80~120℃烘箱中干燥;
(d)将含有SiC粉末的预制体置于热梯度CVI中,以流量为3.5~5.0m3/h的天然气为碳源气体,沉积温度为980~1020℃,沉积时间为240~280小时;
(e)沉积完成后在1600~2100℃高温下进行石墨化处理,即得到碳纤维增强碳-碳化硅双基体复合材料。
本发明的有益结果是:由于在常温下采用超声波震荡技术在纤维预制体中引入SiC颗粒,在保证其它指标不降低的情况下,降低了制备成本。
下面结合附图和具体实施方式对本发明作详细说明。
附图说明
图1是本发明实施例1制备的碳纤维增强碳-碳化硅双基体复合材料的背散射电子照片。
图2是本发明实施例1制备的碳纤维增强碳-碳化硅双基体复合材料的XRD图谱。
图3本发明实施例1制备的碳纤维增强碳-碳化硅双基体复合材料与C/C复合材料经氧-乙炔烧蚀30s后烧蚀中心的表观形貌,其中图3(a)、(c)是C/C复合材料;图3(b)、(d)是碳纤维增强碳-碳化硅双基体复合材料。
具体实施方式
实施例1,步骤一、以二维针刺碳毡作为预制体,密度为0.45g/cm3;
步骤二、取粒径为1μm的SiC粉末放入水中,加入聚丙烯酸钠使其充分混合配置成质量分数为4%的料浆,将料浆置于超声槽中,采用超声波振荡20min使料浆分散均匀;
步骤三、将前述预制体放入料浆中,超声波震荡6小时,取出置于80℃烘箱中干燥;
步骤四、将含有SiC粉末的预制体置于热梯度CVI中,以流量为3.5m3/h的天然气为碳源气体,沉积温度为980℃,沉积时间为280小时;
步骤五、沉积完成后在1600℃高温下进行石墨化处理,即得到碳纤维增强碳-碳化硅双基体复合材料。
实施例2,步骤一、以二维针刺碳毡作为预制体,密度为0.45g/cm3;
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