[发明专利]碳纤维增强碳-碳化硅双基体材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010234834.0 申请日: 2010-07-22
公开(公告)号: CN101913895A 公开(公告)日: 2010-12-15
发明(设计)人: 李克智;魏连锋;李贺军;郭领军 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B35/83 分类号: C04B35/83
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 黄毅新
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 碳纤维 增强 碳化硅 基体 材料 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种双基体材料的制备方法,特别是一种碳纤维增强碳-碳化硅双基体材料的制备方法。

背景技术

C/C复合材料由于具有优异的耐高温、抗热震和抗烧蚀性能,被广泛用于火箭发动机喉衬、飞行器鼻锥等高温结构部件。为了进一步提高C/C复合材料耐烧蚀及抗粒子侵蚀性能,世界各国科研工作者进行了大量的试验研究,表明将难熔碳化物如SiC、TaC、HfC、ZrC加入到碳基体时,C/C复合材料抗烧蚀性能得到明显改善。在这些碳化物中,SiC具有价格低廉,热膨胀系数与碳材料相近以及优异的抗氧化、抗烧蚀性能,将该材料加入C/C复合材料制备的C/C-SiC复合材料可有望进一步改善材料的抗烧蚀性能。

C/C-SiC复合材料是一种以碳纤维为增强体,以碳、碳化硅为基体的复合材料。C/C-SiC复合材料制备的关键是SiC相的加入,文献“C/C-SiC复合材料的制备方法及研究现状.张智,郝志彪,闫联生.炭素,2008,(2):29-35”公开了一种C/C-SiC复合材料的制备方法,其添加SiC的主要技术手段:化学气相浸渗法(CVI),熔融渗硅法(RMI)和前驱体浸渍裂解法(PIP)等。其中采用熔融渗硅技术增密速度快,但高温下反应不容易控制,易形成大块未反应的硅;CVI技术得到的组织较均匀但碳化硅基体致密化周期长,成本高;而PIP技术制备的原料昂贵、增密速度慢、转化效率低也限制其应用。三种方法都是在高温下通过化学反应引入SiC,导致其制造成本增加。

发明内容

为了克服现有的C/C-SiC复合材料的制备方法要在高温下通过化学反应引入SiC而导致制备成本高的不足,本发明提供一种碳纤维增强碳-碳化硅双基体材料的制备方法。该方法在常温下采用超声波震荡技术在纤维预制体中引入SiC颗粒,可以降低制备成本。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案:一种碳纤维增强碳-碳化硅双基体材料的制备方法,其特点是包括下述步骤:

(a)以二维针刺碳毡作为预制体,密度为0.45g/cm3

(b)取粒径为1~40μm的SiC粉末放入水中,加入聚丙烯酸钠使其充分混合配置成质量分数为4~10%的料浆,将料浆置于超声槽中,采用超声波振荡20~40min使料浆分散均匀;

(c)将前述预制体放入料浆中,超声波震荡6~12小时,取出置于80~120℃烘箱中干燥;

(d)将含有SiC粉末的预制体置于热梯度CVI中,以流量为3.5~5.0m3/h的天然气为碳源气体,沉积温度为980~1020℃,沉积时间为240~280小时;

(e)沉积完成后在1600~2100℃高温下进行石墨化处理,即得到碳纤维增强碳-碳化硅双基体复合材料。

本发明的有益结果是:由于在常温下采用超声波震荡技术在纤维预制体中引入SiC颗粒,在保证其它指标不降低的情况下,降低了制备成本。

下面结合附图和具体实施方式对本发明作详细说明。

附图说明

图1是本发明实施例1制备的碳纤维增强碳-碳化硅双基体复合材料的背散射电子照片。

图2是本发明实施例1制备的碳纤维增强碳-碳化硅双基体复合材料的XRD图谱。

图3本发明实施例1制备的碳纤维增强碳-碳化硅双基体复合材料与C/C复合材料经氧-乙炔烧蚀30s后烧蚀中心的表观形貌,其中图3(a)、(c)是C/C复合材料;图3(b)、(d)是碳纤维增强碳-碳化硅双基体复合材料。

具体实施方式

实施例1,步骤一、以二维针刺碳毡作为预制体,密度为0.45g/cm3

步骤二、取粒径为1μm的SiC粉末放入水中,加入聚丙烯酸钠使其充分混合配置成质量分数为4%的料浆,将料浆置于超声槽中,采用超声波振荡20min使料浆分散均匀;

步骤三、将前述预制体放入料浆中,超声波震荡6小时,取出置于80℃烘箱中干燥;

步骤四、将含有SiC粉末的预制体置于热梯度CVI中,以流量为3.5m3/h的天然气为碳源气体,沉积温度为980℃,沉积时间为280小时;

步骤五、沉积完成后在1600℃高温下进行石墨化处理,即得到碳纤维增强碳-碳化硅双基体复合材料。

实施例2,步骤一、以二维针刺碳毡作为预制体,密度为0.45g/cm3

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