[发明专利]同源四倍体天山雪莲植株的培育方法有效
申请号: | 201010235095.7 | 申请日: | 2010-07-23 |
公开(公告)号: | CN101946699A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 康喜亮;王晓军;郝秀英;刘敏;波拉提;徐琴 | 申请(专利权)人: | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 | 代理人: | 张莉 |
地址: | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 同源 四倍体 天山 雪莲 植株 培育 方法 | ||
1.一种同源四倍体天山雪莲植株的培育方法,其特征在于按下列步骤进行:
a、将天山雪莲种子用温水浸泡20min,再用75%乙醇表面消毒20-50sec,然后用15%H2O2溶液消毒15-50min,将消毒后的种子用无菌水漂洗2-5次,再播种于MS培养基上,每瓶MS培养基播种10-30粒种子,7-15天后雪莲种子即可萌发产生无菌苗;
b、将步骤a中萌发生长的无菌苗切除其根部和叶片,保留下胚轴茎段部分;
c、将步骤b中下胚轴茎段接种于添加有2%二甲基亚砜和浓度为0-0.20%秋水仙素的出芽诱导培养基上处理1-3d,培养温度25-30℃,光照强度50μmol·m-2·s-1,光照时间16h·d-1,出芽诱导培养基为MS+BA0.3-0.5mg/L+TDZ0.3-0.5mg/L+NAA0.05-0.1mg/L;
d、将步骤c中处理过的下胚轴茎段转入MS+BA0.5mg/L+TDZ0.5mg/L+NAA0.1mg/L增殖培养基中培养25-30d,培养温度20±1℃,光照强度50μmol·m-2·s-1,光照时间16h·d-1;
e、将步骤d中增殖的苗切成单芽后转接至1/2MS+NAA0.05-0.2mg/L生根培养基中生根;
f、天山雪莲同源四倍体的筛选:将步骤e中的植株与二倍体对照植株做对比分析,根据二者在外观形态如叶片宽度、叶面积以及解剖结构上气孔保卫细胞的大小和密度之间的差异,初步确定为同源四倍体植株;
g、天山雪莲同源四倍体的鉴定之一:随机剪取步骤e中植株的幼嫩根尖和幼嫩不定芽茎尖组织,在温度0-4℃,经过0.002mol/L 8-羟基喹啉预处理或饱和对二氯苯水溶液预处理,卡诺固定液固定,温度60℃,1-2mol/L盐酸解离6-15min,改良苯酚品红染色液染色10-15min,压片观察统计根尖、幼嫩不定芽茎尖染色体,初步确定为同源四倍体植株;
h、天山雪莲同源四倍体的鉴定之二:随机剪取步骤e中部分植株的叶片,于常温下在装有3-5ml细胞核提取缓冲液的培养皿中用剪刀将其剪碎,200目尼龙网过滤,500-1000r·min~1离心漂洗3次,流式细胞仪检测确定为同源四倍体植株;
i、天山雪莲同源四倍体的移植:将步骤e中培育的植株洗去根部附着的残留培养基,定植于草炭土∶珍珠岩∶蛭石=3∶1∶1的温室苗床上,搭建拱棚,附上薄膜,每天通风一次,每次30min,每两天浇水一次,一周后,撤去薄膜和拱棚,定期浇水,温室培养,天山雪莲同源四倍体植株炼苗移栽成活率达82%。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于步骤c、d和e中的培养基均为固体培养基。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于步骤g中8-羟基喹啉预处理时间为2-6h,饱和对二氯苯水溶液预处理时间为5-10h,卡诺固定液固定时间为12-36h。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于步骤i温室苗床湿度为60%,温室培养温度控制在20-22℃。
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