[发明专利]改善60纳米以下高压器件阈值电压变化曲线的方法无效
| 申请号： | 201010235682.6 | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101916721A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 60 纳米 以下 高压 器件 阈值 电压 变化 曲线 方法 | ||
1.一种改善60纳米以下高压器件阈值电压变化曲线的方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上形成栅介质层；
在栅介质层上形成栅电极，
其中，所述栅电极具有多个间隙，将所述栅电极分隔为多个部分，所述栅电极的这些部分将所述栅介质层分成第一部分栅介质层和第二部分栅介质层，其中第一部分栅介质层为所述栅介质层被所述栅电极覆盖的部分，第二部分栅介质层为所述栅介质层未被栅电极覆盖的部分，
其中在所述高压器件的沟道宽度方向上，所述每个间隙的宽度均衡。
2.根据权利要求1所述的改善60纳米以下高压器件阈值电压变化曲线的方法，其特征在于，其中若高压器件的尺寸固定，当所述第二部分栅介质层和第一部分栅介质层的比例增大，所述高压器件的阈值电压增大。
3.一种高压器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，其上具有栅介质层与形成于栅介质层之上的栅电极；
其中，所述栅电极具有多个间隙，将所述栅电极分隔为多个部分，所述栅电极的这些部分将所述栅介质层分成第一部分栅介质层和第二部分栅介质层，其中第一部分栅介质层为所述栅介质层被所述栅电极覆盖的部分，第二部分栅介质层为所述栅介质层未被栅电极覆盖的部分，
其中在所述高压器件的沟道宽度方向上，所述每个间隙的宽度均衡。
4.根据权利要求3所述的高压器件，其特征在于，所述高压器件通过60纳米节点或者60纳米节点以下的工艺技术制造。
5.根据权利要求3所述的高压器件，其特征在于，若高压器件的尺寸固定，当所述第二部分栅介质层和第一部分栅介质层的比例增大，所述高压器件的阈值电压增大。
6.根据权利要求3所述的高压器件，其特征在于，所述栅介质层的厚度大于等于400A。
7.根据权利要求6所述的高压器件，其特征在于，所述多个间隙之间的间距为栅电极厚度的2～3倍。
8.根据权利要求3所述的高压器件，其特征在于，还包括源极和漏极，所述源极和漏极分布于所述栅介质层两侧并与所述栅介质层的边沿相间一定距离。
9.根据权利要求3所述的高压器件，其特征在于，所述栅电极为多晶硅栅电极或金属栅电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
