[发明专利]一种晶圆结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201010235721.2 | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101958317A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 仇超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种晶圆结构，其特征在于，所述晶圆结构包括：嵌入多个埋氧化层的半导体衬底，所述多个埋氧化层在所述半导体衬底的内部横向间隔生成。
2.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述半导体衬底的材料是硅。
3.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述埋氧化层的材料是二氧化硅。
4.根据权利要求1所述晶圆结构的制造方法，其特征在于，所述嵌入埋氧化层的半导体衬底的高度比未嵌入所述埋氧化层的半导体衬底的高度高。
5.一种晶圆结构的制造方法，其特征在于，包括：
a.在所述半导体衬底上覆盖一掩膜层；
b.在所述掩膜上覆盖一层光刻胶；
c.图案化所述光刻胶；
d.以图案化的光刻胶为掩膜刻蚀所述掩膜层，直到露出半导体衬底；
e.在所述晶圆的表面注入氧离子，在露出的半导体衬底的内部生成埋氧化层；
f.对所述半导体衬底上剩余的所述光刻胶和所述掩膜层分别进行刻蚀，去除所述光刻胶和所述掩膜层；以及
g.对所述晶圆结构的表面进行抛光处理。
6.根据权利要求5所述晶圆结构的制造方法，其特征在于，所述掩膜层的材料是二氧化硅或氮化硅。
7.根据权利要求5所述晶圆结构的制造方法，其特征在于，对所述晶圆结构的表面进行化学机械抛光处理。
8.根据权利要求5所述晶圆结构的制造方法，其特征在于，未嵌入所述埋氧化层的半导体衬底构成电器件的基板。
9.根据权利要求5所述晶圆结构的制造方法，其特征在于，位于所述埋氧化层之上的半导体衬底构成光器件的基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
