[发明专利]一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法有效
| 申请号： | 201010235870.9 | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101905858A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 杨晋玲;解婧;刘云飞;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 防止 mems 器件 结构 材料 电化学 腐蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，其特征在于，该方法是在MEMS器件的金属化工艺中，在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ti层，然后用光刻胶覆盖该金属Ti层。
2.根据权利要求1所述的防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，其特征在于，所述金属Ti层同所述贵金属层在同一步金属化工艺中完成，且位于所述贵金属层表面。
3.根据权利要求1所述的防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，其特征在于，所述金属Ti层的厚度由SiO2湿法腐蚀时间的长短以及结构层和贵金属在腐蚀液中的暴露面积比决定，SiO2湿法腐蚀时间越长，或者贵金属与结构层面积比越大，所需的金属Ti层就越厚。
4.根据权利要求1所述的防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，其特征在于，该方法通过光刻实现光刻胶对整个金属Ti层的覆盖保护。
5.根据权利要求1所述的防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，其特征在于，该方法采用光刻来定义腐蚀孔，使HF基腐蚀液通过腐蚀孔直接接触腐蚀SiO2层。
6.根据权利要求1所述的防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，其特征在于，该方法在对SiO2湿法腐蚀结束后，进一步包括：去除光刻胶和贵金属表面未被HF基腐蚀液耗尽的金属Ti层，获得被保护的器件结构。
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