[发明专利]加热装置、衬底处理装置以及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及加热装置、处理衬底的衬底处理装置、以及半导体装置的制造方法。

背景技术

作为DRAM等的半导体装置的制造方法的一个工序，实施对硅晶片等衬底进行加热并处理的衬底处理工序。这一工序通过衬底处理装置实施，该衬底处理装置具有收容衬底并对其进行处理的处理室和对该处理室内进行加热的加热装置。加热装置具有围绕处理室的外周的环状的发热体和设在发热体外周上的环状的隔热体。在发热体的上下端上，峰部和谷部(切缺部)分别交替地相连有多个，由此，该发热体形成为蛇行状(例如参照专利文献1)。

另外，加热装置具有：围绕处理室的外周的环状的发热体；以围绕发热体的外周的方式设置的隔热体；将发热体固定在隔热体的内壁上的保持部件(例如参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2007-88325号公报

专利文献2：日本特开平4-318923号公报

上述发热体，环状的发热体的两端贯通隔热体的侧壁而固定，并且，发热体的各谷部分别固定在隔热体的内周侧壁上，由此，该发热体被保持在隔热体的内周侧。为了将发热体的各谷部固定在隔热体的内周侧壁上，一直以来使用例如作为桥型的销而构成的保持体。即，将保持体的两端分别插入各谷部的末端部(谷底部)并固定在隔热体的内周侧壁上，由此抑制发热体的偏移。

另外，在上述加热装置中，若发热体伴随升温而发生热膨胀，则发热体会与隔热体接触，存在着这些部件受到损伤的情况。尤其是，由于发热体的变位量随着从保持部件远离而累积地变大，因此在从保持部件远离的部位容易发生发热体与隔热体的接触。

但是，在上述结构中，存在以下情况：当随着升温，发热体产生热变形，则谷部的间隙变得狭窄，保持件被剪切。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种加热装置、衬底处理装置以及半导体装置的制造方法，能够抑制发热体的偏移，并且，能够抑制因发热体的热变形而导致的保持件的剪切，能够抑制在发热体发生了热膨胀时发热体与隔热体的接触或发热体与销部件的干涉，降低加热装置的构成部件的损伤。

根据本发明的一个实施方式，提供一种加热装置，具有：

发热体，该发热体的两端固定，通过峰部和谷部交替地多个相连而形成为蛇行状；

保持体承受部，该保持体承受部分别设在所述谷部的末端，作为具有比所述谷部的宽度大的宽度的切缺部而形成；

隔热体，该隔热体设置在所述发热体的外周；

保持体，该保持体配置在所述保持体承受部内并固定在所述隔热体上。

根据本发明的另一实施方式，提供一种衬底处理装置，具有加热装置和处理室，该处理室设在该加热装置的内部，对衬底进行处理，其中，

所述加热装置具有：发热体，该发热体的两端固定，通过峰部和谷部交替地多个相连而形成为蛇行状；保持体承受部，该保持体承受部分别设在所述谷部的末端，作为具有比所述谷部的宽度大的宽度的切缺部而形成；隔热体，该隔热体设置在所述发热体的外周；保持体，该保持体配置在所述保持体承受部内并固定在所述隔热体上。

根据本发明的又一实施方式，提供一种半导体装置的制造方法，具有以下工序：

将衬底搬入设在加热装置的内部的处理室内的工序；

将所述加热装置所具有的通过峰部和谷部交替地多个相连而形成为蛇行状的发热体的两端固定在设于所述发热体的外周的隔热体上，并且，在分别设置在所述各部的末端、作为具有比所述谷部的宽度大的宽度的切缺部而形成的保持体承受部内配置保持体并将其固定在所述隔热体上，由此，保持所述发热体的位置，并使所述发热体升温，对所述处理室内的衬底进行加热处理。

另外，根据本发明的其他方式，提供一种加热装置，具有：形成为环状的发热体；以围绕所述发热体的外周的方式设置的隔热体；将所述发热体固定在所述隔热体的内壁上的固定部，设定为：至少在所述发热体为室温状态时，所述发热体与所述隔热体的内壁之间的距离随着从所述固定部远离而变大。

根据本发明的其他方式，提供一种半导体装置的制造方法，具有以下工序：将衬底搬入设在加热装置的发热体的内侧的处理室内的工序，其中，所述加热装置具有形成为环状的所述发热体、以围绕所述发热体的外周的方式设置的隔热体、将所述发热体固定在所述隔热体的内壁上的固定部；使所述发热体升温，对所述处理室内的衬底进行加热处理的工序，设定为：至少在所述发热体为室温状态时，所述发热体与所述隔热体的内壁之间的距离随着从所述固定部远离而变大。

发明的效果