[发明专利]等离子处理装置和等离子处理方法有效
| 申请号： | 201010236449.X | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101990353A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 桧森慎司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 方法 | ||
1.一种等离子处理装置，其特征在于，
具有：
处理室，其内部能够收容基板；
下部电极，其配置在上述处理室内，兼用作载置上述基板的载置台；
上部电极，其与上述下部电极相对地配置在上述处理室内；
第1高频电源，其用于对上述下部电极或上述上部电极施加等离子体产生用的第1频率的高频电力；
第2高频电源，其用于对上述下部电极施加频率比上述第1频率低的离子牵引用的第2频率的高频电力；
偏压分布控制用电极，其在与上述下部电极电绝缘的状态下，设置在该下部电极上的至少周缘部；
偏压分布控制用电源，其用于对上述偏压分布控制用电极施加频率比上述第2频率低的第3频率的交流电压或矩形波电压。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，
上述偏压分布控制用电极被以同心状分割而设有多个。
3.根据权利要求2所述的等离子处理装置，其特征在于，
在上述多个偏压分布控制用电极上分别连接有各自的上述偏压分布控制用电源。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，
上述偏压分布控制用电极兼用作用于静电吸附上述基板的静电吸盘的电极。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，
从上述偏压分布控制用电源施加频率为100KHz～1MHz、电压为1～500V的电压。
6.一种等离子处理方法，该等离子处理方法采用等离子处理装置，该等离子处理装置具有：
处理室，其内部能够收容基板；
下部电极，其配置在上述处理室内，兼用作载置上述基板的载置台；
上部电极，其与上述下部电极相对地配置在上述处理室内；
第1高频电源，其用于对上述下部电极或上述上部电极施加等离子产生用的第1频率的高频电力；
以及第2高频电源，其用于对上述下部电极施加频率比上述第1频率低的离子牵引用的第2频率的高频电力，
该等离子处理方法其特征在于，
在该下部电极上的至少周缘部设置与上述下部电极电绝缘状态的偏压分布控制用电极；
从偏压分布控制用电源对上述偏压分布控制用电极施加频率比上述第2频率低的第3频率的交流电压或矩形波电压，控制上述下部电极上的偏压分布。
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