[发明专利]半导体处理用的成批化学气相沉积方法及装置

权利要求书

1.一种半导体处理周的成批CVD方法，该方法采用成批CVD装置来进行，其中，

上述装置包括：

纵长的处理容器，其用于收纳多个被处理体；

保持器具，其用于在上述处理容器内将上述被处理体隔开间隔地层叠并支承上述被处理体；

原料气体供给系统，其用于向上述处理容器内供给原料气体，上述原料气体供给系统包括用于调整上述原料气体的供给的原料气体阀；

反应气体供给系统，其用于向上述处理容器内供给反应气体，上述反应气体供给系统包括用于调整上述反应气体的供给的反应气体阀；

排气系统，其用于对上述处理容器内进行排气，上述排气系统包括用于调整排气量的排气阀；

上述方法通过将以下循环反复进行多次并将每一次形成的薄膜层叠起来，在上述被处理体上形成具有规定厚度的成品膜，在此，上述循环包括以下工序：

吸附工序，其用于使上述原料气体吸附在上述被处理体上，在该工序中，通过在最初的第1期间使上述原料气体阀为打开状态之后使其成为关闭状态，从而向上述处理容器内供给上述原料气体，将上述反应气体阀维持在关闭状态而不向上述处理容器内供给上述反应气体，将上述排气阀维持在关闭状态而不对上述处理容器内进行排气；

第1插入工序，其自上述处理容器内除去残留气体，在该工序中，将上述原料气体阀及上述反应气体阀维持在关闭状态而不向上述处理容器内供给上述原料气体及上述反应气体，使上述排气阀为打开状态而对上述处理容器内进行排气；

反应工序，其使上述反应气体与吸附在上述被处理体上的上述原料气体发生反应，在该工序中，将上述原料气体阀维持在关闭状态而不向上述处理容器内供给上述原料气体，使上述反应气体阀为打开状态而向上述处理容器内供给上述反应气体，通过将上述排气阀自规定的打开状态逐渐减小阀门开度，从而对上述处理容器内进行排气；

第2插入工序，其自上述处理容器内除去残留气体，在该工序中，将上述原料气体阀及上述反应气体阀维持在关闭状态而不向上述处理容器内供给上述原料气体及上述反应气体，使上述排气阀成为阀门开度比上述反应工序的最终时期的阀门开度大的打开状态而对上述处理容器内进行排气。

2.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，

在上述吸附工序中，维持上述排气阀的关闭状态的定义为维持上述排气阀的阀门开度为0～2％。

3.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，

在上述第1及第2插入工序中包括向上述处理容器内供给惰性气体的过程。

4.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，

在上述第1及第2插入工序中不向上述处理容器内供给任何气体。

5.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，

上述第1期间的长度处于上述吸附工序的长度的1～50％的范围内。

6.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，

在上述反应工序中，通过在最初的第2期间将上述排气阀维持在上述规定的打开状态而获得上述排气阀的上述规定的打开状态。

7.根据权利要求6所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，

上述第2期间的长度处于上述反应工序的长度的1～50％的范围内。

8.根据权利要求6所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，

上述第2期间中的上述排气阀的上述规定的打开状态与在上述第1插入工序中使用的排气阀的打开状态相同。

9.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，

在上述反应工序中，不使上述排气阀为关闭状态。

10.根据权利要求9所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，

在上述反应工序中，上述排气阀的阀门开度的最大值与上述第1插入工序中的排气阀的阀门开度相同，最小值为上述第1插入工序中的排气阀的阀门开度的2％以上。

11.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，

在上述反应工序中，不使上述反应气体阀为关闭状态。