[发明专利]纳米结构功能涂层和器件有效
申请号: | 201010236517.2 | 申请日: | 2010-07-15 |
公开(公告)号: | CN101958347A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | L·察卡拉科斯;E·G·巴特菲尔德;A·M·斯里瓦斯塔瓦;B·A·科尔瓦尔 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/052 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 曲卫涛;徐予红 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 结构 功能 涂层 器件 | ||
1.一种物品,包括:
设置在衬底上的纳米结构功能涂层,其中所述涂层的特征在于抗反射性质和向下转换性质。
2.如权利要求1所述的物品,其中所述纳米结构功能涂层包括包含纳米结构的阵列的抗反射层。
3.如权利要求2所述的物品,其中所述抗反射层具有一致或渐变的折射率。
4.如权利要求1所述的物品,其中所述纳米结构功能涂层包括向下转换材料。
5.如权利要求4所述的物品,其中所述纳米结构功能涂层包括抗反射层,并且所述向下转换材料的纳米结构嵌入在所述抗反射层内。
6.如权利要求4所述的物品,其中所述纳米结构功能涂层包括抗反射层,并且所述向下转换材料的纳米结构设置在所述抗反射层的下方。
7.如权利要求4所述的物品,其中所述抗反射层中的所述纳米结构彼此隔开以便在所述纳米结构的阵列中形成空隙,并且向下转换纳米结构位于所述纳米结构的阵列的基本上所有空隙中。
8.如权利要求4所述的物品,其中所述向下转换材料以晶体形式存在。
9.如权利要求8所述的物品,其中所述向下转换材料包含纳米结构的阵列,每个纳米结构具有基本一致或渐变的横截面积。
10.一种光电器件,包括:
衬底;
设置在所述衬底上的多层结构;以及
设置在所述器件的电磁辐射接收表面上的纳米结构功能涂层,其中所述纳米结构功能涂层的特征在于抗反射性质和向下转换性质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的