[发明专利]多晶金属基座式发光二极管散热结构及其制造方法无效
申请号: | 201010236520.4 | 申请日: | 2010-07-22 |
公开(公告)号: | CN102339943A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 温耀隆 | 申请(专利权)人: | 上海卓凯电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/64 | 分类号: | H01L33/64;H01L33/62 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 201809 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 金属 基座 发光二极管 散热 结构 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种散热结构及其制造方法,特别涉及一种多晶金属基座式发光二极管散热结构及其制造方法。
背景技术
为响应环保,LED(Light Emitting Diode,发光二极管)灯具已渐渐取代传统灯具,而现有的LED为配合各种市场的需求,已朝向多晶封装方向发展,但其存在有散热不良或是散热不平均的问题,因而导致LED产生光衰,减少使用寿命,徒劳耗费资源。
发明内容
有鉴于此,本案发明人经过不断的研究、实验与改良,因此,如何将现有的LED散热结构的缺失加以摒除,即为本案发明人所欲解决的技术困难点的所在。
本发明的目的即是提供一种多晶金属基座式发光二极管散热结构及其制造方法,凭借本发明的设计,可延长多晶金属基座式发光二极管的使用寿命以及可以防止发光二极管的光衰。
可达成上述发明目的的一种多晶金属基座式发光二极管散热结构的制造方法,包含下列步骤:
(A)在一复合基板上设有一印刷电路层;
(B)将多晶金属基座式发光二极管结合于该印刷电路层;
(C)以一导线与该印刷电路层电连接。
本发明又提供一种多晶金属基座式发光二极管散热结构,其包含有:一复合基板、一绝缘导热层、一印刷电路层、一导电导热层及一多晶金属基座式发光二极管。复合基板与印刷电路层以绝缘导热层相连结,印刷电路层与多晶金属基座式发光二极管以导电导热层相结合;由此,组成一种多晶金属基座式发光二极管散热结构。
经由本发明所采用的技术手段,凭借本发明的设计,多晶金属基座式发光二极管的接面热量首先由金属基座至大面积铺铜的印刷电路层均匀且快速横向导热,再均匀且快速由复合基板达到三轴快速散热的效果;使得多晶金属基座式发光二极管不仅可达到快速散热的效果,而且多晶发光二极管间,由于散热均衡,故具有一致的热电效应,因此可延长多晶金属基座式发光二极管的使用寿命以及可以防止发光二极管的光衰。
附图说明
图1-1为本发明的步骤A;
图1-2为本发明的步骤B;
图1-3为本发明的步骤C;
图2为本发明的分解示意图;
图3为本发明的配置示意图;
图4为本发明的实施例。
附图标记说明:复合基板1;印刷电路层2;导电导热层3;多晶金属基座式发光二极管4;导线41;绝缘导热层5。
具体实施方式
为使贵审查员方便简捷了解本发明的其他特征内容与优点其所达成的功效能够更为显现,兹将本发明配合附图,详细说明如下:
可达成上述发明目的的一种多晶金属基座式发光二极管散热结构的制造方法,包含下列步骤:
(A)在一复合基板上设有一印刷电路层;
(B)将多晶金属基座式发光二极管结合于该印刷电路层;
(C)以一导线与该印刷电路层电连接。
请参考图1-1,为本发明的步骤A,图中表示,在一复合基板1上设有一印刷电路层2,且复合基板1与印刷电路层2以绝缘导热层5相连结。
请参考图1-2,为本发明的步骤B,图中表示,将多晶金属基座式发光二极管4结合于该印刷电路层2,且以导电导热层3将二者相连接,并通过热融方式将多晶金属基座式发光二极管4与该印刷电路层2结合,热融方式可凭借高周波或超音波手段。
请参考图1-3,为本发明的步骤C,图中表示,将多晶金属基座式发光二极管4与该印刷电路层2以热融方式结合后,以一导线41将该多晶金属基座式发光二极管4与该印刷电路层2电连接;该多晶金属基座式发光二极管4以平均散热面积方式排列设置于印刷电路层2上;该导电导热层3为银胶或锡膏焊料;该复合基板1为复合石墨材质或陶瓷材质;该绝缘导热层5的材质为玻璃纤维,如此,即为本发明的制造方法。
请参考图2及图1-3,为本发明的分解示意图及组合示意图,图中表示,其包含有:一复合基板1、一印刷电路层2、一导电导热层3、一多晶金属基座式发光二极管4及一绝缘导热层5,复合基板1与印刷电路层2以绝缘导热层5相连结,印刷电路层2与多晶金属基座式发光二极管4以导电导热层3相结合,且该多晶金属基座式发光二极管4并以一导线41与印刷电路层2电连接;由此,组成一种多晶金属基座式发光二极管散热结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海卓凯电子科技有限公司,未经上海卓凯电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010236520.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。