[发明专利]一种薄膜光伏太阳能电池无效

申请号：	201010236616.0	申请日：	2010-07-26
公开（公告）号：	CN101908568A	公开（公告）日：	2010-12-08
发明（设计）人：	赵一辉;贺方涓	申请（专利权）人：	河南阿格斯新能源有限公司
主分类号：	H01L31/042	分类号：	H01L31/042;H01L31/0352
代理公司：	郑州睿信知识产权代理有限公司 41119	代理人：	陈浩
地址：	450001 河***	国省代码：	河南;41
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摘要：
搜索关键词：	一种薄膜太阳能电池
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【权利要求书】：

1.一种薄膜光伏太阳能电池，包括衬底层、设置在衬底层上的背电极层、TCO层和设置在背电极层与TCO层之间的太阳能电池模组，其特征在于：所述太阳能电池模组包括一个由铜铟镓硒P-N结层和非晶硅P-I-N结层相邻设置的双结层P-N/P-I-N，所述双结层的P型铜铟镓硒薄膜层与所述背电极层之间设置有重掺杂的P⁺层，所述双结层的N型非晶硅层与所述TCO层之间设置有重掺杂的N⁺层，该太阳能电池的结构为：衬底层/背电极层/P⁺层/P型铜铟镓硒薄膜层/N型铜铟镓硒缓冲层/ P型非晶硅层/I型非晶硅层/N型非晶硅层/N⁺层/TCO层。

2.根据权利要求1所述的薄膜光伏太阳能电池，其特征在于：所述非晶硅P-I-N结层的厚度为100nm～360nm。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜光伏太阳能电池，其特征在于：所述非晶硅P-I-N结层中P型非晶硅层、I型非晶硅层和N型非晶硅层的厚度比为：P型非晶硅层:I型非晶硅层:N型非晶硅层=（1～2）:（10～15）:（2～4）。

4.根据权利要求1所述的薄膜光伏太阳能电池，其特征在于：所述重掺杂的P⁺层的厚度为5nm～50nm。

5.根据权利要求1或4所述的薄膜光伏太阳能电池，其特征在于：所述重掺杂的P⁺层中电荷载子的密度为10²⁰ g/cm³～10²¹g/cm³。

6.根据权利要求5所述的薄膜光伏太阳能电池，其特征在于：所述重掺杂的P⁺层由硒化钼或密度为1020～1021 g/cm³的铜空缺层通过共溅射或共蒸发的方法沉积制得。

7.根据权利要求1所述的薄膜光伏太阳能电池，其特征在于：所述重掺杂的N⁺层的厚度为1.5nm～15nm。

8.根据权利要求1或7所述的薄膜光伏太阳能电池，其特征在于：所述重掺杂的N⁺层中电荷载子的密度为10²⁰ g/cm³～10²² g/cm³。

9.根据权利要求8所述的薄膜光伏太阳能电池，其特征在于：所述重掺杂的N⁺层由氢化磷沉积制得。

10.根据权利要求1所述的薄膜光伏太阳能电池，其特征在于：所述铜铟镓硒P-N结层中P型铜铟镓硒薄膜层的厚度为1.0um～2.5um。

11.根据权利要求1所述的薄膜光伏太阳能电池，其特征在于：所述铜铟镓硒P-N结层中N型铜铟镓硒缓冲层的厚度为50nm～200nm。

12.根据权利要求1或11所述的薄膜光伏太阳能电池，其特征在于：所述铜铟镓硒P-N结层中N型铜铟镓硒缓冲层的材料为ZnS、ZnSe或ZnIn₂Se₃。

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