[发明专利]一种制备隐形眼镜电子芯片的方法

权利要求书

1.一种制备隐形眼镜电子芯片的方法，包括：先在隐形眼镜材料表面上蒸发沉积有机半导体薄膜；然后在高温下，利用光滑的辊筒将硅材料电子芯片滚压集成在所述的有机薄膜中；最后通过镂空的掩模版在薄膜中沉积生长与芯片连接的金属引出管脚，完成隐形眼镜电子芯片。

2.根据权利要求1所述的方法，包括由一次有机半导体薄膜沉积，一次热压和一次金属沉积，获得带有金属引出管脚的隐形眼镜电子芯片，顺序包括以下步骤下：

在隐形眼镜的材料(如水凝胶)上蒸发沉积生长有机半导体薄膜；

利用光滑的辊筒对有机薄膜在高温下滚动加压，从而将电子芯片压入有机薄膜中；

制作电子芯片金属引出管脚的掩模板；

沉积生长金属引出管脚。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，其中所述的在芯片表面上淀积的有机薄膜是采用热氧化生长或化学气相沉积的方法获得。

4.根据权利要求1-2中任一项的方法，其特征在于，其中所述有机薄膜的沉积采用真空热蒸镀技术，以在隐形眼镜材料上生长出大晶粒的有序的连续有机半导体薄膜。

5.根据权利要求1-4中任一项的方法，其特征在于，有机半导体薄膜经真空沉积后，利用光滑的辊筒对其在高温下滚动加压，目将硅材料的电子芯片滚压集成在所述的有机薄膜中。

6.根据权利要求1-5中任一项的方法，其特征在于，其中所述的金属引出管脚是采用金属蒸发或磁控溅射技术沉积的。

7.根据权利要求1-6中任一项的方法，其特征在于，其中在100-170度优选110-150度下，利用光滑的辊筒将硅材料电子芯片滚压集成在所述的有机薄膜中。

8.根据权利要求1-7中任一项的方法，其特征在于，所述有机半导体薄膜的材料选自聚塞吩乙烯、并五苯、聚呲咯(PPy)、聚塞吩(PT)、聚苯胺(PAn)、聚对苯(PPP)、聚苯基乙烯。