[发明专利]晶圆清洗甩干机

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路加工技术领域，具体涉及一种对晶圆以去离子水冲洗，并实现甩干功能的晶圆清洗甩干机。

背景技术

在集成电路加工工艺中，包括有对晶圆进行清洗的步骤流程，具体的说，在化学机械研磨之后常会有些残留或微尘落在晶圆表面，此种尘粒缺陷(P/D，Particle Defect)可刷洗去除，避免影响良率。通常有下列5种不同刷洗方式：去离子水冲洗、毛刷刷洗、高压水刷洗、毛刷加高压水刷洗以及芯片双面刷洗。

在化学机械研磨工序之后，现有的用以对晶圆进行去离子水冲洗的晶圆清洗甩干机(SRD)，如图1a所示，其结构包括：在上罩101和分水罩105下方设有一个可在晶圆102一侧将其竖直夹持住的固定装置103；向所述晶圆102另一侧喷射去离子水(DI)对晶圆进行冲洗的喷水装置；另外还包括一个可以将竖直夹持状态的晶圆102进行旋转，甩去去离子水的旋转装置104。所述上罩101可移至靠近晶圆102和分水罩105的位置，如图1b所示。在清洗晶圆时，首先将晶圆102由机械手送至固定装置103处，并由该固定装置103将晶圆固定好；然后，上罩101水平向靠近晶圆位置移动至图1b所示位置，与所述分水罩105相配合；再然后，由喷水装置向晶圆102喷射去离子水，由旋转装置104将晶圆102进行旋转，以对其进行冲洗；冲洗期间由上方甩出去的去离子水，沿着上罩101向左下流出，并落在分水罩105外侧后，流出晶圆清洗甩干机外部。

但是，在上述刷洗晶圆过程中，一小部分的由晶圆上方甩出去的落在上罩101上的去离子水也会直接落回到晶圆102上，从而在晶圆上形成水渍，影响后续加工。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的是针对现有技术晶圆清洗甩干机中，由晶圆上方甩出去的水不会全部由分水罩排走，其中一部分会落回晶圆表面，形成水渍的技术问题，提供一种避免水落回晶圆表面，以防止水渍形成的晶圆清洗甩干机。

为达到上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种晶圆清洗甩干机，包括：

固定装置，用于夹持所述晶圆；

喷水装置，向被所述晶圆喷水，对所述晶圆的表面进行冲洗；

旋转装置，带动所述固定装置进行旋转，以甩去所述晶圆上的水；

上罩，设置在所述固定装置上方，用来防止由所述晶圆甩出的水在晶圆上方任意飞溅；

分水罩，设置在所述晶圆的上方，用来将所述晶圆向上方甩出的水导出；

在所述上罩下方还设有防止由晶圆甩出的水落回晶圆的喷吹装置。

在上述技术方案中，所述喷吹装置包括：

导气管，其上设有多个喷气孔；

喷气动力装置，其用来将气体输送至所述导气管中并由多个所述喷气孔喷出，喷出的所述气体可将晶圆向上方的水吹向所述分水罩。

在上述技术方案中，多个所述喷气孔的直径为0.1-0.2毫米。

在上述技术方案中，多个所述喷气孔在所述导气管上等间距排列，间距为6-10毫米。

在上述技术方案中，多个所述喷气孔喷吹的气体的压力为1-3磅/平方英寸。

在上述技术方案中，所述导气管中用来喷吹的气体为氮气。

在上述技术方案中，所述上罩在所述旋转装置工作时可以水平移动至靠近晶圆的位置。

本发明的晶圆清洗甩干机具有以下的有益效果：

首先，本发明的晶圆清洗甩干机，通过在晶圆上方设置喷吹装置，可以防止由晶圆甩出的水落回到晶圆，使得经过水冲洗的晶圆表面不会留下水渍，满足高品质加工的需要。

另外，本发明的晶圆清洗甩干机的喷吹装置包括导气管，其上设有多个喷气孔，由多个所述喷气孔喷吹来的气体的压力为1-3磅/平方英寸(psi)左右，可以保证该喷吹气流不会影响所述晶圆清洗甩干机中的环境，保证晶圆得到正常清洗。

附图说明

图1a是现有技术中晶圆清洗甩干机的结构示意图；

图1b是图1a所示的晶圆清洗甩干机在为晶圆进行冲洗工作时的结构示意图；

图2a是本发明的晶圆清洗甩干机一种具体实施方式的结构示意图；

图2b是图2a所示的具体实施方式的晶圆清洗甩干机在为晶圆进行冲洗加工时的结构示意图；

图2c是图2a所示的具体实施方式的晶圆清洗甩干机中的导气管的左视图；

图中的附图标记表示为：