[发明专利]半导体器件的制造方法

说明书

本申请是于2006年9月11日提交的、于2008年3月28日进入中国国家阶段的、对应的PCT申请号为PCT/JP2006/318442、中国国家阶段申请号为200680036259.5、发明名称为“半导体器件的制造方法”的专利申请之分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、特别是涉及在支撑衬底之上形成诸如晶体管的半导体元件之后去除支撑衬底的半导体器件的制造方法。

背景技术

近年来，通过在诸如玻璃衬底的刚性衬底之上形成半导体元件，供诸如LCD或有机EL显示器的显示器或诸如光电传感器或太阳能电池的光电变换元件等使用的半导体器件已得到积极开发。除此之外，没有接点的发射和接收数据的半导体器件(也被称为RFID(射频识别)标签、ID标签、IC标签、IC芯片、无线标签、电子标签或无线芯片)也已得到积极开发。另外，最近需要诸如薄膜状态显示器的柔性器件或被嵌入纸内的半导体器件，并且，减小厚度一直是重要的思路。

为了减小半导体器件的厚度，存在例如使用事先被减薄的衬底的方法。但是，在这种情况下，出现衬底的翘曲等的问题，或者，在处理元件的过程中，出现由于应力导致翘曲、难以操作、在光刻或印刷步骤中无法对准的问题。因此，一般使用在衬底之上形成半导体元件之后减薄或去除衬底的方法。

作为用于减薄或去除衬底的方法，存在例如通过磨削处理或抛光处理或使用化学反应的湿蚀刻去除支撑衬底(玻璃衬底)的技术(例如，参见参考文献1：日本专利申请特开2002-87844)。

发明内容

但是，在去除上面形成半导体元件的衬底的情况下，通过磨削处理或抛光处理，由于器件的精度的限制和抛光的面内不均匀性，因此存在减薄膜的限制，从而难以使得整个表面具有50μm或更小的厚度，难以去除衬底。另外，当衬底经受磨削处理和抛光处理时，在衬底之上设置的半导体元件产生应力，由此具有损坏半导体元件的危险。这是因为，随着衬底变薄，半导体元件的应力大大增加，因此难以通过磨削处理或抛光处理去除衬底。

另外，在去除上面形成半导体元件的衬底的情况下，通过化学处理，以较高的产量并且均匀地仅去除衬底是极其困难的，因此存在执行处理占用太多的时间的问题。

鉴于以上的问题，本发明的目的是提供即使在在支撑衬底之上形成半导体元件之后减薄或去除支撑衬底的情况下，也防止半导体元件受损并提高其生产速度的半导体器件的制造方法。

根据本发明的一个方面，半导体器件的制造方法包括以下步骤：在衬底的上表面之上形成多个元件组；形成绝缘膜以覆盖多个元件组；选择性地在位于在多个元件组中的两个相邻的元件组之间的区域中的绝缘膜中形成开口以露出衬底；形成第一膜以覆盖绝缘膜和开口；通过去除衬底露出元件组；形成第二膜以覆盖露出的元件组的表面；和在多个元件组之间切断以不露出绝缘膜。

根据本发明的另一方面，半导体器件的制造方法包括以下步骤：在衬底的上表面之上形成基底膜；在基底膜之上形成多个元件组；形成绝缘膜以覆盖多个元件组；选择性地在位于在多个元件组中的两个相邻的元件组之间的区域中的绝缘膜中形成开口以露出衬底或基底膜；形成第一膜以覆盖绝缘膜和开口；通过去除衬底露出基底膜；形成第二膜以覆盖露出的基底膜的表面；和在多个元件组之间切断以不露出绝缘膜。

根据本发明的另一方面，在以上的结构中的半导体器件的制造方法中，通过从另一侧减薄并然后通过使用化学反应的化学处理(化学反应处理(以下，也被简称为化学处理))去除减薄的衬底，去除衬底。注意，可以通过使用物理手段或具有化学手段的物理手段减薄衬底，并且，例如，可以使用磨削处理或抛光处理中的任一种或两种。可以通过将减薄的衬底浸入化学溶液中并对减薄的衬底产生化学反应执行化学处理。

即使在去除上面形成半导体元件的衬底的情况下，也可根据本发明防止半导体元件受损。因此，可以提高半导体器件的生产速度。

附图说明

在附图中，

图1A～1D是分别表示本发明的半导体器件的制造方法的例子的示图；

图2A～2D是分别表示本发明的半导体器件的制造方法的例子的示图；

图3A～3C是分别表示本发明的半导体器件的制造方法的例子的示图；

图4A和图4B是分别表示本发明的半导体器件的制造方法的例子的示图；

图5A～5D是分别表示本发明的半导体器件的制造方法的例子的示图；

图6A～6C是分别表示本发明的半导体器件的制造方法的例子的示图；

图7A和图7B是分别表示本发明的半导体器件的制造方法的例子的示图；