[发明专利]制造器件的方法

权利要求书

1.一种制造器件的方法，包括以下步骤：

在栅极结构之上形成应力衬里；

对所述栅极结构和应力衬里进行低温退火处理以形成堆垛力；

从所述栅极结构剥离所述应力衬里；以及

对所述栅极结构进行激活退火。

2.根据权利要求1的方法，其中所述低温退火处理低于约650℃。

3.根据权利要求1的方法，其中所述低温退火处理在约550℃到约650℃之间。

4.根据权利要求1的方法，其中所述形成应力衬里为在所述栅极结构上沉积SiN。

5.根据权利要求1的方法，其中所述激活退火为高温退火。

6.根据权利要求5的方法，其中所述高温退火在约900℃到约1100℃的范围内。

7.根据权利要求1的方法，其中在所述剥离之后进行所述激活退火。

8.根据权利要求1的方法，其中在高于所述低温退火处理的温度下进行所述激活退火。

9.根据权利要求1的方法，其中所述栅极结构包括在多晶硅材料之上形成的间隔物和侧壁。

10.根据权利要求1的方法，还包括在所述应力衬里的一部分之下的晶片中注入扩展区以及掺杂源极和漏极区。

11.一种制造逻辑NFET的方法，包括以下步骤：

在晶片上形成栅极结构；

在所述栅极结构之上沉积应力材料；

在第一温度下对所述栅极结构和应力衬里进行低温退火处理；

从所述栅极结构剥离所述应力衬里；以及

在高于所述第一温度的第二温度下进行激活退火。

12.根据权利要求11的方法，其中所述第一温度处理为低于约650℃。

13.根据权利要求11的方法，其中所述第一温度在约550℃到约650℃之间。

14.根据权利要求11的方法，其中形成应力材料为沉积SiN。

15.根据权利要求11的方法，其中在剥离所述应力材料之后进行所述激活。

16.根据权利要求15的方法，其中所述第二温度为约900℃到1100℃。

17.一种形成NFET器件的方法，包括以下步骤：

在晶片上形成栅极结构；

在所述栅极结构和部分的所述晶片上沉积应力材料；

对所述应力材料、栅极结构和晶片进行约550℃到约650℃的范围内的低温退火以在所述栅极结构之下形成堆垛力；

从所述栅极结构和所述部分的所述晶片剥离所述应力材料；以及

在高于所述低温退火的温度下对所述栅极结构和晶片进行激活退火。

18.根据权利要求17的方法，其中在所述剥离之后进行所述激活退火。

19.根据权利要求17的方法，其中所述激活退火为在约900℃到1100℃的温度下进行的高温退火。

20.根据权利要求17的方法，其中所述应力材料为SiN。

21.根据权利要求17的方法，其中在所述激活退火之前进行所述剥离。

22.一种用于产生逻辑NFET器件的功能设计模型的计算机辅助设计系统中的方法，所述方法包括以下步骤：

产生在晶片上的栅极结构的功能表示；

产生在所述栅极结构上的应力材料的功能表示；

产生对所述应力材料的在约550℃到约650℃的范围内的低温退火处理的功能表示；

产生从所述栅极结构剥离所述应力材料的功能表示；以及

产生在剥离所述应力材料之后对所述栅极结构进行激活退火的功能表示，所述激活退火的温度高于所述低温退火的温度。

23.根据权利要求22的方法，其中所述功能设计模型包括网表。

24.根据权利要求22的方法，其中所述功能设计模型作为用于交换集成电路的版图数据的数据格式而存在于存储介质上。

25.根据权利要求22的方法，其中所述功能设计模型存在于可编程门阵列中。