[发明专利]单晶硅电池片高效制绒专用腐蚀溶液

权利要求书

1.一种单晶硅电池片高效制绒专用腐蚀溶液，其特征是：它由氢氧化钾和1，4环己二醇混合而成，其中，氢氧化钾的浓度控制在15-25g/L，1，4环己二醇的浓度控制在45-55g/L。

2.单晶硅电池片高效制绒专用腐蚀溶液的配制方法如下：

准备一只腐蚀槽，在其内配制成浓度为15-25g/l的氢氧化钾溶液，并加入液态的1，4环己二醇，使其浓度控制在45-55g/l。

3.使用单晶硅电池片高效制绒专用腐蚀溶液进行制绒方法如下：

第一步，制绒前的准备：先准备好两只腐蚀槽，在第一只腐蚀槽中由氢氧化钾溶液和去离子水配制成浓度为30％的氢氧化钾溶液，并升温至60℃；

在第二只腐蚀槽中加入单晶硅电池片高效制绒专用腐蚀溶液，其中氢氧化钾浓度为20g/l，1，4环己二醇的浓度为50g/l，并升温至85℃；

第二步，去除硅片表面的机械损伤层：将单晶硅片放入第一只腐蚀槽中，升温至60℃，反应30s，即能去除硅片表面的机械损伤；在本步骤中是利用60℃的高温度，30％高浓度氢氧化钾溶液能对硅片进行均匀腐蚀的特性，去除硅片表面的械损伤层；

第三步，清洗：将经过第二步处理后的单晶硅片放入常温的纯水中进行清洗；

第四步，制绒：将第三步清洗过的单晶硅片放入第二只腐蚀槽中，由本发明对之进行腐蚀制绒，将腐蚀溶液的温度控制在85℃，腐蚀时间控制在10分钟即可；在本步骤中是利用高温度、低浓度的氢氧化钾溶液能对硅片的(100)面与(111)面腐蚀速度不同的特性，完成对硅片的制绒；

第五步，将制绒后的单晶硅片按现有技术进行制绒后处理即可。