[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一表面设有电极垫及保护层的半导体硅基材，该保护层覆盖该部分电极垫及半导体硅基材；

在该电极垫上形成封盖层，以使该封盖层覆盖住该电极垫及其周围的部分保护层；

在该保护层及封盖层上形成覆盖层，且使该覆盖层形成有外露出部分封盖层的开孔；以及

在外露出该覆盖层开孔的封盖层上形成接着金属层，并使该接着金属层电性连接该封盖层，其中，该接着金属层的直径尺寸小于或等于该封盖层的直径尺寸。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该封盖层由钛、镍、钒、铜及铝之中的一种或多种构成的叠层组合结构。

3.根据权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该封盖层选自钛/镍钒/铜、铝/镍钒/铜、钛/铝或钛/铜/镍/铜的叠层结构。

4.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该保护层为氮化硅层。

5.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该覆盖层选自苯环丁烯或聚酰亚胺。

6.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，进一步包括：在该接着金属层表面形成导电元件。

7.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该导电元件包括形成于该接着金属层外表面的金属柱及形成于该金属柱上的焊锡材料或焊锡材料的其中之一。

8.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该接着金属层是焊块底部金属层。

9.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该半导体硅基材为半导体芯片或具多芯片单元的晶圆。

10.一种半导体元件，其特征在于，包括：

表面设有电极垫及保护层的半导体硅基材，该保护层覆盖该部分电极垫及半导体硅基材；

封盖层，形成于该电极垫上且覆盖其周围的部分保护层；

覆盖层，形成于该保护层及封盖层上，且该覆盖层形成有外露出部分封盖层的开孔；以及

接着金属层，形成于外露出该覆盖层开孔的封盖层上，并电性连接该封盖层，其中，该接着金属层的直径尺寸小于或等于该封盖层的直径尺寸。

11.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，该封盖层是由钛、镍、钒、铜及铝之中的一种或多种构成的叠层组合结构。

12.根据权利要求11所述的半导体元件，其特征在于，该封盖层选自钛/镍钒/铜、铝/镍钒/铜、钛/铝或钛/铜/镍/铜的叠层结构。

13.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，该保护层为氮化硅层。

14.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，该覆盖层选自苯环丁烯或聚酰亚胺。

15.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，进一步包括：导电元件，形成于该接着金属层表面。

16.根据权利要求15所述的半导体元件，其特征在于，该导电元件包括形成于该接着金属层表面的金属柱及形成于该金属柱上的焊锡材料或焊锡材料的其中之一。

17.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，该接着金属层为焊块底部金属层。

18.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，该半导体硅基材为半导体芯片或具多芯片单元的晶圆。