[发明专利]多晶铸锭晶体生长工艺

权利要求书

1.一种多晶铸锭晶体生长工艺，其特征在于包括以下步骤：在长晶后期减小温降速率、下移隔热笼、适时引入温升速率升温来避免组分过冷抑制杂质过早形核而使其形核生长于晶锭头部低少子寿命截除区。

2.如权利要求1所述的多晶铸锭晶体生长工艺，其特征在于：所述的步骤具体为在硅晶体生长末期中心长晶透顶触发前的第一个适当时间段内降低温降速率并缓慢下移隔热笼、在第二个适当时间段内引入温升速率升温并较快速下移隔热笼对硅熔体保温抑制杂质过早形核生长，随之触发中心长晶透顶报警。

3.如权利要求1或2所述的多晶铸锭晶体生长工艺，其特征在于：所述的工艺用于DSS多晶铸锭炉晶体生长的可抑制碳、氮杂等质过早形核生长并使其主要富集于晶锭头部低少子寿命切除区。