[发明专利]晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法有效
| 申请号： | 201010238314.7 | 申请日： | 2010-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101976647A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 华永军 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 控制 二氧化硅 厚度 方法 | ||
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，尤其是晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法。
背景技术
扩散是晶体硅太阳能电池制作的核心工艺，与电池片效率息息相关。在实际生产过程中，经常在硅片的扩散面发现一些黑点，做成成品电池后会产生外观不良，且对电池效率也会有一定影响，导致太阳能电池片不合格，通过对这些黑点做元素分析，与正常片相比，氧含量过高，其他无异，说明这些黑点处的二氧化硅太厚了。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：提供一种可将扩散产生的不良比例降低的晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法，其方法为：先将晶体硅太阳能扩散时的中心温度调整为840-850℃，时间调整为30-40min，当二氧化硅沉积时，氮气大流量为20-30SLM，氮气小流量为1000-1400SCCM，氧气干燥为300-500SCCM后，二氧化硅的厚度达到正常。
本发明的有益效果是，本发明通过调整工艺，扩散后长生的不良比例得到大幅度降低，二氧化硅的厚度达到正常，从而太阳能电池的效率得到提高。
具体实施方式
晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法，其方法为：先将晶体硅太阳能扩散时的中心温度调整为840-850℃，时间调整为30-40min，当二氧化硅沉积时，氮气大流量为20-30SLM，氮气小流量为1000-1400SCCM，氧气干燥为300-500SCCM后，二氧化硅的厚度达到正常。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
