[发明专利]一种GaN基LED管芯P型GaN层的结构有效
| 申请号： | 201010238526.5 | 申请日： | 2010-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101950785A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 徐现刚;沈燕;胡小波 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 于冠军 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 管芯 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN基LED管芯P型GaN层的结构，其特征是：该GaN基LED管芯P型GaN层的结构，是在P型GaN层上设有孔洞，孔洞的底部距离LED管芯的量子阱有源区的距离为10纳米--100纳米，孔洞内填有金属颗粒，孔洞的洞口处填充有封堵金属颗粒的透明介质膜。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED管芯P型GaN层的结构，其特征是：所述孔洞的直径为50纳米--1000纳米，孔洞的间距为0.1微米--10微米。
3.根据权利要求1所述的GaN基LED管芯P型GaN层的结构，其特征是：所述金属颗粒的粒径为5纳米--100纳米。
4.根据权利要求1所述的GaN基LED管芯P型GaN层的结构，其特征是：所述孔洞内填有的金属颗粒的厚度10纳米--400纳米。
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